海力士300mm晶圆NAND闪存制造工厂竣工

2008-09-05 11:06:04来源: 日经BP社

  为庆祝位于韩国清州市(Cheongju)、支持300mm晶圆的新制造车间“M11”的建成,韩国海力士半导体于当地时间08年8月28日邀请政府官员等举行了竣工典礼。

  M11将采用40nm制造工艺,专门生产16Gbit及32Gbit等高密度NAND闪存。预定08年9月开始投产。最初月产规模为4万枚(按晶圆使用量计算),将来会根据市场动向逐渐增产。最多可能会增产至每月20万枚。

  M11为清州工厂的第三栋制造车间,海力士认为,新的制造车间具有能够利用现有工厂设备及人员的优势。目前,该公司正在全球整合支持200mm晶圆的工厂,清州工厂支持200mm晶圆的制造车间也于08年7月纳入了整合对象。该公司董事会主席兼首席执行官金钟甲(Kim Jong-kap)表示,“我们希望以M11竣工为起点,把清州工厂建成全球第一大NAND闪存工厂”。

关键字:300mm晶圆  NAND闪存

编辑:梁朝斌 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/news/eda/200809/article_22216.html
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