Intel、ST合资公司触手可及,还是长远等待?

2008-03-11 15:11:45来源: 电子工程世界 汤宏琳

  Numonyx(恒忆)——ST、Intel和Francisco Partners正在联手打造的闪存合资公司,因为出身名门,自2007年5月22日公布以来,就已然成了众人关注的主角。

  公司的名称——Numonyx是英文单词“mnemonics”(意为帮助或增进记忆的技术)的变体,中文名称为“恒忆”。英特尔副总裁兼闪存部门总经理、未来Numonyx的首任首席执行官 Brian Harrison表示,“我们希望让业界看到,我们正在努力创建一家重要的、灵活的且充满活力的新公司,传达这一信息的较好方式莫过于为它取一个恰当的名称。”

  然而,在2007年年末,信贷市场动荡之际,新公司的开业时间从原定的2008年1月1日推迟到了2008年3月28日。更有国外媒体评论称,随着3月28日截至日期的临近,可能会出现另外一个延误:因为原定于2月26日举行的记者招待会(届时,Numonyx即将上任的CEO Brian Harrisson将讨论新公司的策略和服务),被“延期到稍后确定”。

  然而,就在Numonyx的开业还是一篇云里雾里时,记者惊喜的在近日IIC-China的北京分会上看到了Numonyx,而且赫然展现在展览的入口处,拥有相当有利的位置。这在为大企业含量极少的IIC-China北京站展会上,无疑抒写了较亮的一笔。

  据公司相关人员介绍, Numonyx目前并没有正式成立,也未说明具体的成立日期。但是国际集成电路厂商云集的盛会,Numonyx已经打出了公司的旗号,显见公司前期宣传已经到位。会场上有Intel和ST的相关人员现场为工程师讲解。其中也展出了久违的采用相变存储器(PCM)技术制造的未来存储器的原型样片,代码为“Alverstone”。Alverstone是一款采用90纳米制程的128Mb相变内存,其设计目的是让内存客户能评估相变内存的性能,也让手机和嵌入式系统客户能更了解相变内存技术,以及如何将相变内存建置在他们未来的系统设计当中。相变存储器是一种前景看好的新型存储技术,数据读写速度非常快,功耗低于传统的闪存技术,而且支持通常只有随机存取存储器(RAM)才具备的以数据位为单位的修改功能。届时,“Alverstone”和相变存储器合作开发项目组的未来产品都将转交新公司。

  目前Intel与ST闪存部门的员工还在各自公司上班。

  3月28日日益临近,几经波折的幸运儿究竟能否成功开业,搅局闪存市场?且让我们拭目以待。

  Numonyx大事记:

  2007年5月22日-ST、英特尔和Francisco Partners,宣布合资创立一家新的独立半导体公司。新公司的战略重点将专注于提供闪存解决方案。

  根据协议规定,意法半导体将向新公司出售闪存业务的资产,包括其NAND合资公司以及其它NOR业务资源;同时英特尔将向新公司出售其NOR资产及资源。作为交换,英特尔将获得45.1%的股份和近4.32亿美元的出资额。意法半导体将获得48.6%的股份和约4.68亿美元的出资额。而总部位于加州Menlo Park的私人股权投资公司Francisco Partners将出资1.5亿美元现金购买可转换优先股,这个数字相当于6.3%的股权(在某些情况下可能会调整)。因此,新公司获得了相应的公司承诺事项,即13亿美元的定期贷款和2.5亿美元的循环贷款。

  新公司的CEO将由Brian Harrison担任,负责意法半导体公司闪存产品业务的现任公司副总裁Mario Licciardello 将出任首席运营官一职。新公司总部设在瑞士,在荷兰注册成立,全球建有9个主要的研发和制造业务机构,员工人数近 8,000人。该公司还拥有一支全球性的销售团队。

  2007年7月19日-英特尔、意法半导体和Francisco Partners公司今天宣布三家公司在5月22日公布的即将成立的独立闪存合资公司正式命名为“Numonyx”,Numonyx是根据英文单词“mnemonics”(记忆术)创造出来的。

  2007年12月27日-受借贷资本市场的影响,意法半导体、英特尔、Francisco Partners本周三同意将成立闪存合资企业Numonyx的时间延长到明年3月28日。

  2008年1月2日-英特尔、意法半导体(ST Microelectronics)、Francisco Partners表示,计划成立的闪存合资公司Numonyx注册资本将减少一半。

  其他资料:

  ST是世界上最大的非易失性存储器供应商之一,该市场包括NOR和NAND闪存。ST在NOR闪存领域的市场份额为16.3%,排名第三;在串行闪存(带串行总线的闪存)领域的市场份额为31%,排名第一。

  闪存制造商同时承受着两种压力:提高性能(速度、密度、功耗),降低成本。为实现这两个目标,ST采用的是制造工艺和产品系统双管齐下、相互补充的战略。

  ST的NOR闪存产品种类十分丰富,从工业标准闪存到先进架构闪存,应有尽有,能够很好地适应不同市场的需求,包括汽车、消费电子和计算机外设。

  与NOR闪存相比,NAND闪存的存储密度更高(高达8 Gbits),擦除时间更短、但随机存取时间稍长。虽然直接执行代码的效率不高,但是NAND闪存更适合在数字消费应用中存储海量数据。除其它非易失性存储器外,NAND闪存在嵌入式应用和无线通信系统中日益普及,主要功能是存储大量的参数或多媒体文体,例如,音乐和数字影像。

关键字:恒忆  闪存  推迟  相变  随机  存储

编辑:汤宏琳 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/news/eda/200803/article_18241.html
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