IBM、AMD首款EUV“测试芯片”

2008-02-27 07:40:38来源: 电子工程世界 汤宏琳 编译

  AMD称与合作伙伴IBM已经制造了一个工作“测试芯片”,该技术在器件中关键层利用了EUV(超紫外线)光刻技术。

  以前利用EUV的项目生产工作芯片的项目仅仅在“狭窄领域”和涵盖极小部分的设计方案。

  AMD、IBM以及他们的合作伙伴的UAlbany NanoCollege的Albany纳米技术联合体的成果将由AMD出席SPIE提交论文。这个论文将显示“全领域”EUV光刻技术集成到涵盖22*33mm AMD 45nm节点的测试芯片的制造工艺。

  AMD的测试芯片最初进入其位于德国Dresden的Fab 36工厂,该工厂使用的是193nm沉浸光刻技术。测试芯片晶圆运输到IBM位于纽约Albany的Nanoscale科学和工程学院研究机构。

  这些使用ASML Holding NV的EUV阿尔法工具的公司,通过与ASML、IBM和CNSE的合作伙伴关系,确定了晶体管间金属连接的第一层。

  在定型、蚀刻及金属沉积过程,EUV器件结构经过了AMD的电子测试,晶体管显示的特性与仅仅使用193nm沉浸光刻技术的测试芯片的特性相当一致。

  这些晶圆将接受使用标准晶圆工艺额外的金属连接,这样大的存储阵列也能够被测试。

  下一步要被证明的是EUV光刻技术量产的可行度,将被应用到不仅仅是金属连接,而是对于所有重要层,通过使用EUV光刻技术显示整个工作微处理器。

  EUV光刻技术需要在2016年前完全具备量产,那个时候,预计半导体国际技术发展蓝图上的22nm半间距节点将实现。

关键字:设计  测试  沉浸  超紫外线  工厂  晶圆  运输

编辑:汤宏琳 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/news/eda/200802/article_18070.html
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