英特尔大连芯片工厂建设取得重要进展

2007-12-24 08:45:34来源: 新华网

英特尔公司大连芯片工厂负责人近日表示,新工厂建设取得一系列重要进展,他对中方提供的通力合作和鼎力支持感到非常满意,坚信大连芯片厂将为大连和英特尔带来更加繁荣、光明的未来。

英特尔大连芯片工厂总经理科比·杰斐逊说:“随着大连新工厂项目的日益深入,我越发坚信,英特尔选择在中国大连建设新工厂制造芯片的决定是十分明智的。当地政府和大连市开发区为我们提供了出色而专业的支持。”

对于中国的投资环境以及当地政府的办事效率,科比表示,对中方提供的通力合作和鼎力支持感到非常满意。

他指出,中方在基础设施配套支持等方面的承诺都如期兑现,其中包括建立出口加工区保证其正常运转,地方电力机构和消防机构为芯片厂提供支持。

今年3月,英特尔公司宣布在中国东北港口城市大连建设一座大型芯片制造工厂。根据协议,大连芯片厂首期投入25亿美元,项目建设期为5年。建成达产后形成月产12英寸、90纳米集成电路芯片52000片的生产能力。大连芯片厂是英特尔公司全球第八家、亚洲首家芯片工厂。

自奠基以来,工厂建设取得一系列重要进展。目前,新工厂已经完成了超过200万个工时的建设投入,工厂建筑已完成两层,其他所有生产支持性建筑也都将在不久后拔地而起。

科比介绍说,2008年底将开始启动工厂运转所需的供热、制冷及电力等关键系统,预计全部建设工程将在2009年上半年竣工。

此外,新工厂明年将大规模招募大连地区及整个中国的优秀高校毕业生。据估算,工厂一期工程投产后将提供约1700个就业岗位。

关键字:开发  纳米  电路  制冷

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