东芝与NEC合作开发32纳米节点系统LSI工艺技术

2007-12-06 08:29:08来源: 电子工程专辑

日本东芝和NEC电子把双方之间现有的工艺技术合作扩展到了32纳米节点。双方还暗示要签署联合制造协议,可能正在计划之中。根据合作协议,双方已同意合作开发32纳米节点的系统LSI工艺技术。另外,东芝与与NEC电子继续“讨论联合制造”,并期望在2008年就此作出决定。

双方没有透露具体细节。自从2006年以来,东芝和NEC电子一直在横滨的东芝高级微电子中心合作开发45纳米工艺技术。双方将在此开发32纳米工艺,旨在加快开发速度和共担开发成本。

为了在ASIC、游戏机和其它产品领域保持领先地位,NEC电子最近推出了一种40纳米逻辑器件,包括一对嵌入DRAM。该产品计划明年2009年3月31日以前投入批量生产,预计将在NEC电子在Yamagata的300毫米晶圆生产线上生产。

目前尚不清楚的是,该工厂是否能够延伸到32纳米节点。似乎东芝也有技术实力和财力新建一家300毫米工厂支持32纳米工艺。

双方是否计划在32纳米及更先进节点上建立合资工厂?观察者表示,有这种可能性,由东芝牵头。

关键字:逻辑  DRAM  晶圆

编辑: 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/news/eda/200712/17188.html
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