Chipidea USB高速物理层IP获特许90nm 和65nm工艺技术认证

2007-12-05 12:05:41来源: 电子工程世界

MIPS 科技公司模拟业务部 Chipidea 今天宣布其 USB 高速物理层(PHY)IP 已获得特许65nm 和 90nm工艺技术认证。Chipidea 的 USB 2.0 OTG 物理层内核符合 USB 2.0 标准并获得了USB-IF的认证,是业界 USB 高速物理层 IP 最丰富产品组合的一部分,经过了硅验证并获得了特许半导体客户就绪代工厂解决方案 0.18um、0.13um、90nm 及 65nm 认证。

Chipidea 的 USB IP 有助于加快用户设计的 USB 和 USB OTG Supplement 进入便携式计算设备的上市时间,如手持设备、移动电话、海量存储设备及数码相机。这些设备的市场正在迅速发展。市场研究机构 In-Stat 的报告显示,2006 年全球 USB 设备的出货量超过了 20 亿台,该机构预测到 2011 年,年出货量将增长 12.3%。

特许半导体平台联盟部高级总监 Walter Ng 表示:“我们正在与几个客户合作,这些客户都把 Chipidea 的USB 解决方案集成到他们的高速互连产品,这反映了对 Chipidea IP 的市场需求和客户信任度。Chipidea 在及时供货及其 IP 解决方案一次通过投片成功方面有着骄人的纪录。公司的 USB 高速物理层产品满足了我们为特许半导体客户提供的标称 65nm 和 90nm 低功耗公共平台技术工艺严格的 IP 质量基准。”

Chipidea 的 CI12323cn(USB 2.0 OTG PHY)是作为 65 nm 标称工艺的特许半导体公共平台解决方案的一部分获得硅验证的。CI12343cm (USB 2.0 OTG PHY)也同样获得了 90nm低功耗工艺下的硅验证。该内核可以在多种工艺规格下使用。

关键字:客户  互联  存储  代工

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