东芝43纳米NAND闪存生产线采用光微影设备

2007-10-24 08:45:52来源: 国际电子商情

尽管EUV(超紫外光)、纳米压印等下一代光刻技术的呼声日益增强,东芝(Toshiba Corp.)仍然计划在43纳米NAND闪存生产线上采用光微影(optical lithography)技术。

东芝表示,公司准备在43纳米NAND闪存生产线上使用尼康(Nikon Corp.)的193纳米沉浸式步进扫描光刻设备NSR-S610C,该设备的NA(数值孔径)为1.30,可用于45纳米或以下存储产品和32纳米逻辑器件的量产。目前,东芝的56纳米NAND闪存已经出货,预计43纳米产品将于2008年初投入市场。

据悉,东芝多年来一直使用尼康的步进扫描光刻机。在56纳米NAND闪存的制造中,东芝采用的也是尼康的193纳米沉浸式步进扫描光刻机。然而,对于22纳米节点,东芝表示将着手采用EUV、纳米压印等下一代光刻技术。

关键字:沉浸  光刻  存储  逻辑

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