三星制成0.08毫米半导体衬底 今年有望实现商用

2007-09-13 09:57:15编辑: 关键字:闪存  芯片  测试  微米

三星电机(Samsung Electro-mechanics Co.)日前宣布其制成了全球最薄的半导体衬底。据悉,三星电机此次制作的芯片厚度为0.08毫米,比普通的纸还要薄。该公司称,该技术可以制作20层闪存和SRAM芯片。

一位公司发言人在一份声明中说道:“新衬底所制成的电路之间的间隔可达20微米。”他还补充道,新的衬底产品是由铜质材料经特殊工艺制作而成。该产品问世前,最薄的衬底厚度为0.1毫米,同样是三星电机于2005年制成的。半导体衬底是用于集成电路制作的支撑材料。

三星电机称,新衬底的样品已送往全球各地的半导体制造商接受测试。测试顺利通过的话,该产品将在今年晚些时候实现商用。

关键字:闪存  芯片  测试  微米

来源: 国际电子商情 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/news/eda/200709/15654.html
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