Intel研发高管展望化合物半导体前景

2007-08-27 09:02:30来源: 国际电子商情

Intel(英特尔)化合物半导体研究主管Mike Mayberry日前在Intel的网站上发布了近期化合物半导体的研究进展。同时,他就镓、砷、铟和锑化物对未来Intel集成电路发展的重要性展开讨论。

Mayberry指出,Intel已开展了数个项目,瞄准化合物半导体,看好其在未来十年内的应用。他表示,由于成本原因,制造150mm砷化镓基片几乎是不可能的,因此Intel关注于在300mm硅基片上制作化合物半导体器件

他补充表示,化合物半导体和硅可以混合使用,实现互补,在硅表现良好的方面仍然保持硅的使用,而用化合物半导体替代一部分以实现更良好的性能。

Mayberry列举了目前Intel所面临的挑战,其中包括:寻找一种合适的高K介质;用化合物半导体制造PMOS器件,与性能等同的NMOS器件匹配实现化合物CMOS;制造增强性器件;实现尺寸缩小至前沿的硅集成水平。

关键字:基片  器件  介质  增强

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