高通开始启用45纳米技术 向40纳米迈进

2007-08-02 14:59:52来源: 电子工程世界

圣迭戈,2007年8月1日——高通公司(Nasdaq:QCOM)今天宣布首款利用45纳米处理技术的芯片已完成设计。45纳米技术代表了CMOS半导体制造领域的下一个里程碑,该技术能够使芯片实现更快的速度、更低的功耗以及更高的集成度,同时还能够在每个晶片上提供更多管芯,从而降低管芯成本。

“高通公司实现了这一前沿处理技术发展的里程碑,而我们与战略性代工合作伙伴的协作关系也将继续支持公司的长期技术创新。”高通CDMA技术集团高级副总裁兼总经理伯鲁兹?阿布迪(Behrooz Abdi)表示,“我们期待着能够支持45纳米及更先进处理技术的新型产品,无线技术在世界各地人们的日常生活中所发挥的作用将因而提升到一个崭新的水平。”

新款芯片在台湾积体电路制造股份有限公司(台积电,TSMC)完成设计并投入制造。与战略性技术和代工合作伙伴的紧密合作,是高通公司所倡导的“集成的无生产线模式”(IFM)的关键所在。该模式能够为行业带来更高的效率和更快的技术进步。

该款高通公司芯片使用了一种为低功耗而优化的45纳米处理技术,利用了先进的浸入式光蚀刻法(immersion lithography)和超低 k介电层特性(very low k inter-metal dielectrics features)。这种技术具有的竞争优势包括性价比的显著提高,以及更好的防漏电性和更高的集成度。公司已着手开发40纳米处理技术,将为半导体性能、成本和效率创造更大的益处。

高通公司(www.qualcomm.com)以其CDMA及其它先进数字技术为基础,开发并提供全球领先的富于创意的数字无线通信产品和服务。高通公司总部设在美国加利福尼亚州圣迭戈市,公司股票是标准普尔500指数的成分股,是2007年财富杂志评选的“财富500强”(FORTUNE 500 )之一,在纳斯达克股票市场(Nasdaq Stock Market)上以QCOM的股票代码进行交易。

关键字:管芯  介电  浸入  漏电

编辑: 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/news/eda/200708/14982.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
管芯
介电
浸入
漏电

小广播

独家专题更多

迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
​TE工程师帮助将不可能变成可能,通过技术突破,使世界更加清洁、安全和美好。
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 数字电视 安防电子 医疗电子 物联网

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved