高通开始启用45纳米技术 向40纳米迈进

2007-08-02 14:59:52来源: 电子工程世界

圣迭戈,2007年8月1日——高通公司(Nasdaq:QCOM)今天宣布首款利用45纳米处理技术的芯片已完成设计。45纳米技术代表了CMOS半导体制造领域的下一个里程碑,该技术能够使芯片实现更快的速度、更低的功耗以及更高的集成度,同时还能够在每个晶片上提供更多管芯,从而降低管芯成本。

“高通公司实现了这一前沿处理技术发展的里程碑,而我们与战略性代工合作伙伴的协作关系也将继续支持公司的长期技术创新。”高通CDMA技术集团高级副总裁兼总经理伯鲁兹?阿布迪(Behrooz Abdi)表示,“我们期待着能够支持45纳米及更先进处理技术的新型产品,无线技术在世界各地人们的日常生活中所发挥的作用将因而提升到一个崭新的水平。”

新款芯片在台湾积体电路制造股份有限公司(台积电,TSMC)完成设计并投入制造。与战略性技术和代工合作伙伴的紧密合作,是高通公司所倡导的“集成的无生产线模式”(IFM)的关键所在。该模式能够为行业带来更高的效率和更快的技术进步。

该款高通公司芯片使用了一种为低功耗而优化的45纳米处理技术,利用了先进的浸入式光蚀刻法(immersion lithography)和超低 k介电层特性(very low k inter-metal dielectrics features)。这种技术具有的竞争优势包括性价比的显著提高,以及更好的防漏电性和更高的集成度。公司已着手开发40纳米处理技术,将为半导体性能、成本和效率创造更大的益处。

高通公司(www.qualcomm.com)以其CDMA及其它先进数字技术为基础,开发并提供全球领先的富于创意的数字无线通信产品和服务。高通公司总部设在美国加利福尼亚州圣迭戈市,公司股票是标准普尔500指数的成分股,是2007年财富杂志评选的“财富500强”(FORTUNE 500 )之一,在纳斯达克股票市场(Nasdaq Stock Market)上以QCOM的股票代码进行交易。

关键字:管芯  介电  浸入  漏电

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