巴斯夫携手IBM,合作开发用于集成电路的电子材料

2007-07-19 09:17:08来源: 电子工程专辑

巴斯夫宣布与IBM达成协议,共同开发最高级集成电路生产过程中所需的电子材料。 根据此协议,巴斯夫与IBM将开发化学解决方案,用于基于 32-纳米技术的高性能、节能型芯片的集成电路制造流程。该项技术及相关的化学品与材料预计最早于2010年由北美、亚洲与欧洲的半导体行业各大厂家投入商业应用。

当今最尖端的芯片技术(45纳米)将于2007年年底推出。然而,当前对更小型最小尺寸芯片的开发工作,对材料与化学品提出了重大挑战。 该项目的研究将在位于美国纽约州约克城高地(Yorktown Heights)的IBM及位于德国路德维希港的巴斯夫总部共同进行。

2006年,全球IC行业的销售额约为2600亿美元,较上年增长了9%。最先进的IC产品中的微处理器,能控制从电脑到手机及数字式微波炉的各种装置。近年来,集成电路不断向更小的尺寸演变,并在性能、密度与每项功能的单位成本方面取得了持续的改善。 随着尺寸的持续缩减,这些改善能否实现,将更依赖于各种新材料与结构的开发应用。

关键字:制造  节能  开发  微波

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