超紫外线光刻技术发展缓慢,Intel目光转向反向光刻技术

2007-07-03 08:43:29来源: 电子工程专辑

由于超紫外线光刻技术(extreme ultraviolet,EUV)的发展迟缓,Intel透露正在开发一种可能将光学扫描仪扩展到22纳米制造节点的可制造性设计。

Intel正在开发的这种计算光刻(computational lithography)是一种反向光刻技术。反向光刻、EUV和两次图形曝光技术是Intel正在为22纳米制造节点进行评估的光刻技术。

自1980年代以来,反向光刻技术得到多家机构的开发,有望取代光学临近矫正(optical proximity correction, OPC)。 反向光刻技术可能使EUV技术不再有用,而且EUV由于技术问题发展已经落后。

Intel指望在2011年22纳米制造节点芯片开发中使用EUV技术。 EUV工具要到22纳米制造节点后期才能提供,而且成本昂贵,需要7000万到1亿美元。

关键字:纳米  节点  工具  成本

编辑: 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/news/eda/200707/14487.html
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