联电与英国ARM公司合作为65nm制程技术提供全方位的SOI解决方案

2007-06-06 09:22:11来源: 半导体国际

据UMC网站报道,联电与英国ARM公司6月4日共同宣布,使用ARM公司的ARM SOI设计单元资料库的测试晶片,已经成功的在联电65nm制程上进行设计定案。这项测试晶片由一组ARM公司的实体IP所组成,采用标准元件设计单元资料库,输入/输出设计单元资料库以及单埠SRAM编译器。联电这项设计定案的成功,代表主流制程采用纳米SOI技术又跨出了下一步。此项技术为了追求复杂系统单芯片上更佳的速度与功率表现。

联电公司多年来研发SOI技术,这项技术则是始于2006年1月联电与SOISIC公司策略合作开始。2006年10月ARM公司并购SOISIC公司并与SOISIC合作,并延续与联电的合作,开始为CMOS制程提供SOI设计单元资料库与多样化实体IP。为了协助联电在现有的65nm CMOS L65SP制程外衍生出SOI版本,ARM公司提供了所需的特定模組以研发并验证这项制程,其中包括了设计规则、元件的电子产品特性分析与电路模拟模型。

联电市场部部总裁Lee Chung表示,我们对于这次合作的结果感到很满意,这让我们成为第一个研发并提供65nm SOI解决方案的晶圆代工厂,我们运用ARM公司在设计支援方面强大的恶SOI专业知识,结合我们量产的65nm制程,能快速的开发并且将SOI制程推出上市。我们期待尽快将这项极具竞争力的技术提供给我们的客户使用。

ARM公司的实体IP行销副总Tom Lantzsch表示,目前市场上整合元件厂对SOI技术所能提供的效能需求非常强劲,我们预期联电提高的这项新制程,将能使无晶圆厂设计公司的领导者使用SOI技术并且开始进行实验性的计划。我们的下一步将是扩展提供的内容,将其延伸到更先进的制程节点,并且推出与这个方案类似的完全晶圆代工计划至大宗COMS制程领域。

关键字:标准  测试  编译  模拟

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