台积电(TSMC)董事会日前核准资本预算美金2亿500万元,将用以扩充该公司晶圆十二厂的45纳米制程产能。台积电预计于今年九月即可完成45纳米制程验证并开始为客户进行量产,该制程结合了193纳米浸润式曝光显影制程、应变硅晶(Silicon strains)以及超低介电系数(Extreme low-k dielectric,ELK)组件连接材料等优势。
台积电计划先推出45纳米低耗电量(LP)制程,之后再推出泛用型(General purpose)及高效能(High performance,GS)制程。此外45纳米逻辑制程也提供低耗电量三闸级氧化层(Triple gate oxide,LPG)的制程选择。此三种制程皆提供多种不同运作电压以及1.8伏、2.5伏或3.3伏的输入/输出电压以满足不同产品的需求。台积电并同时宣布推出45纳米制程设计生态环境。
上一篇:IBM芯片设计取得重大突破 回首十年创新演进
下一篇:风河公司与Curtiss-Wright扩展战略合作,为航空与国防领域提供更高集成化的Linux及VxWorks平台和服务