IDF:英特尔称采用450毫米晶圆是发展趋势

2007-04-19 09:08:32来源: eNet
4月18日消息,据境外媒体报道,英特尔公司资深高管、公司处理结构与集成业务主管Bohr近日在英特尔开发商论坛上表示,虽然公司有可能在2011-2012年前采用450毫米晶圆,但整个业界也将实行这种转型。

Bohr说,英特尔通常在每隔三到四代处理器的发展节点上努力实现晶圆尺寸转型。然而,公司无法单独做到转型,所以在当前情势下,必须劝说硅晶制造商和生产设备供应商为450毫米晶圆转型做好解决方案的准备。

他表示,除了与供应商直接谈判,英特尔还将与行业联盟与协会进行商谈,以便寻求业界的更多支持。

Bohr证实,英特尔在达到32纳米阶段之前没有兴趣采用绝缘体硅晶技术(SOI)。尽管AMD数年来一直在使用SOI技术,但自从英特尔与IBM结成合作关系以来,英特尔一直反对SOI,原因是该方案代价太过昂贵,对处理器性能改进贡献很小。

关键字:尺寸  供应  绝缘  硅晶

编辑: 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/news/eda/200704/13241.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
尺寸
供应
绝缘
硅晶

小广播

独家专题更多

迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
​TE工程师帮助将不可能变成可能,通过技术突破,使世界更加清洁、安全和美好。
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 数字电视 安防电子 医疗电子 物联网

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved