茂德台积电修改赴大陆投资申请升为0.18微米

2007-02-15 09:00:48来源: 搜狐
据台湾媒体2月13日报道,台湾两大芯片代工企业台积电和茂德科技日前向台湾行政机构相关部门提出修改之前的赴大陆投资申请,把之前申请的输往大陆的0.25微米工艺重新修改为0.18微米。

台湾媒体引述政府官员的话说,目前两家公司的申请正在等待政府各相关部门的审批。

众所周知的是,去年年底,台湾行政机构放宽了半导体行业赴大陆投资的相关技术限制,其中批准半导体厂商将8英寸晶圆、0.18微米线宽的工艺输往大陆。

值得一提的是,茂德科技的8英寸芯片厂项目将落户西部的重庆,茂德将把台湾的设备搬迁到重庆。另外,之前重庆工厂的工艺是0.25微米。分析人士认为,如果台湾行政机构批准茂德科技最新提出的申请,重庆8英寸芯片厂将会使用更为先进的0.18微米工艺。

在台积电方面,据报道,该公司将会把上海松江芯片厂的工艺从0.25微米升级为0.18微米。

关键字:晶圆  线宽  芯片

编辑: 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/news/eda/200702/8355.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
晶圆
线宽
芯片

小广播

独家专题更多

迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
​TE工程师帮助将不可能变成可能,通过技术突破,使世界更加清洁、安全和美好。
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 数字电视 安防电子 医疗电子 物联网

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved