力图领先于竞争对手,NEC将为基于单元的IC开发提供平台

2007-02-14 08:59:19来源: 电子工程专辑

日前,NEC电子公司已开始针对利用UX7LS 55nm工艺技术开发基于单元的IC提供CB-55L平台。NEC在批量生产过程中引入了高k值薄膜。“我们正领先半步于我们的竞争对手。”NEC副总裁Hiroshi Iguchi称。

NEC希望将基于单元的IC销量从目前750亿日元(约6.25亿美元)增加到2010年的1,200亿日元(10亿美元),这一销量的增加是以与CB-55L平台相关的销售为基础。

CB-55L以NEC电子的UX7LS CMOS工艺技术为基础,该公司称,它是首个利用高k电介质的55nm工艺。这种高k电介质工艺的引入会减少1/4的泄漏电流,并且会使整体功耗比2002年推出的前一代90nm要提低40%。

CB-55的功耗是1.7纳米-瓦/赫兹/门。55nm工艺技术的采用使之有可能把门密度增加230%,从而能实现92.5万个门/每平方毫米 。能被集成到芯片中的门的最大数量是1亿个,并且I/O的最大数量是2,800。内部的电源供应电压是1-1.2V并且I/O为1.8V、2.5V和3.3V。最大系统频率为450MHz, 电源电压为1.2V;在1.0V电源时,系统频率为233MHz。

NEC将放弃高速类型的产品,并打算覆盖具有CB-55L工艺的中等及低功耗类型的产品。“目前我们还没有要开发高速类型产品的打算。占整个CB-90销量的不到10%,我们想专注于针对便携式设备的低功耗类型的产品。”Iguchi表示。

NEC将提供IP宏,如USB2.0、JPEG、DDR/DDR2,目标应用是数码相机、便携式摄像机和其它依靠电池启动的应用。它也将提供包括PLL、A/D转换器和D/A转换器在内的商用IP。

当NEC电子在2005年11月宣布推出它的UX7LS时,该公司称,沉浸光刻技术将会用于关键的工艺。但Iguchi表示,CB-55L仍可用于干式工艺技术。

关键字:功耗  纳米  电源  转换

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