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IR 授权使用DirectFET 封装技术

2007-02-08 13:54:55来源: 电子工程世界 关键字:电流  密度  协议  冷却

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日与两家总部分别位于不同地区的半导体供应商达成协议,授权他们使用 IR 的 DirectFET 封装技术。

DirectFET MOSFET封装技术基于突破性的双面冷却技术,在2002年推出后迅速成为了先进计算、消费及通信应用解决安装散热受限问题的首选解决方案。自从该技术推出后,DirectFET 便成为 IR 公司历史上增长速度最快的产品。由于 DirecFET 封装能改善电流密度和性能,IR 预期随着有关授权协议的达成,这项封装技术将成为多元化应用的行业标准。

IR 公司的首席执行官 Alex Lidow 先生表示:“我们不断开发节省能源的技术。IR 的 DirectFET 封装技术有助于降低能量损失并减少设计的占板面积,还能够推动计算技术的发展。”他补充道:“通过这些授权协议,我们将可以扩大 IR DirectFET 创新封装技术在节能方面的影响力。”

IR简介

国际整流器公司 (简称IR,纽约证交所代号IRF) 是全球功率半导体和管理方案领导厂商。IR的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能运算设备及降低电机的能耗 (电机乃全球最大之耗能设备) ,是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统及宇航系统的电源管理基准。

IR成立于1947年,总部设在美国洛杉矶,在二十个国家设有办事处。IR全球网站www.irf.com,中国网站www.irf.com.cn。

关键字:电流  密度  协议  冷却

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