硅为基础芯片速度创纪录 运行速度达500GHz

2006-06-27 09:54:49来源: 计世网
IBM和Georgia Tech公司通过让温度降低到华氏负451度,已经设法让一个芯片的运行速度达到了500GHz,从而创造了以硅为基础的芯片速度的新记录。这两家公司正在实施一个探索硅锗(SiGe)芯片速度极限的项目,上述在低温下提高芯片速度的实验是这个项目的一部分。

不过,在硅中添加锗提高了生产硅片和芯片的成本,因此硅锗芯片一般只用在少数精选应用中。自1998年开始销售硅锗芯片以来,IBM已经售出了上亿个器件,但是相比之下,蜂窝电话行业每年消耗的纯硅芯片就达数十亿个。

在室温下,IBM-Georgia Tech芯片的工作速度是350GHz,或者说以每秒3500亿个时钟周期运行。这比今天标准PC处理器1.8GHz至3.8GHz的速度快得多,硅锗芯片在较低温度下还可以进一步提高速度。

IBM和Georgia Tech的科学家从理论上分析,硅锗芯片最终可能达到1THz的速度,或者每秒1万亿个时钟周期。高性能硅锗芯片将来可能用于国防系统、空间探索、交通工具和遥感等领域。



关键字:芯片  速度  硅锗  温度

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