中芯、ARM携手90纳米LL/G处理工艺,共谋SoC前沿设计

2006-06-05 09:29:07来源: 电子工程专辑

中芯国际集成电路制造有限公司和ARM公司共同宣布:中芯国际采用ARM Artisan物理IP系列产品中的ARM Metro低功耗/高密度产品和Advantage高性能产品,用于90纳米LL(低渗漏)和G(主流)处理工艺。该协议通过在ARM网站免费下载的方式进一步增进了两家公司在推动前沿设计和制造方案方面的协作和承诺。

中芯国际设计服务副总裁Paul Ouyang表示:“同ARM的继续合作进一步加强了我们对客户的承诺:提供包括ARM高质量的、经芯片验证的物理IP在内的全面的制造发展蓝图。通过和ARM的合作,我们可以向90纳米工艺的客户提供ARM Metro和Advantage产品,帮助他们缩短设计时间、降低风险并加快产品上市速度。”

ARM Metro低功耗/高密度IP针对便携式电子产品作了优化;Advantage IP提供高速度低功耗的性能表现,能够满足诸多消费电子、通信和网络市场中的应用要求。Metro和Advantage产品都包括ARM标准单元库和多重存储编译器。Metro标准单元包括功耗管理工具套件,能够实现动态和耗散功率节省技术,例如时钟门控、多电压岛和功率门控。Metro存储编译器也提供类似的先进的功率节省特性。

Metro和Advantage IP包括ARM广泛的Views和模型集,提供和很多业界优秀EDA工具的整合。这些Views在诸多运行条件下为Metro和Advantage产品提供功能、时钟和功率信息,从而使设计师可以实现复杂的电能管理系统,在他们的SoC中主动地控制动态和耗散功率。

ARM物理IP市场部副总裁Neal Carney表示:“中芯国际的先进技术发展蓝图继续为客户提供最适合目前SoC设计的执行方案。通过采用ARM Metro和Advantage产品,中芯国际的客户在消费电子、通信和网络应用中有了一个优化的物理IP选择。”

ARM Metro和Advantage IP设计Views预计将在2006年第四季度通过ARM网站向授权顾客提供免费下载。帮助客户开始设计和仿真工作的初步的“前端”设计Views预计将于2006年第二季度末上市。

关键字:低渗漏  主流  纳米

编辑: 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/news/eda/200606/4295.html
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