AMD发表4核心运算微处理器技术

2008-02-13 00:40:21来源: DIGITIMES

  另一个运算微处理器大厂AMD当然也不可能放弃在此次ISSCC 2007中宣扬技术能力的机会。

  这次AMD在会议中所发表的是,4核心运算微处理器相关的制程与设计技术,而这颗4核心运算微处理器已经迈入即将出货的阶段,根据AMD的规划,这颗开发代码为Barcelona的微处理器,预计在2007年中正式对外发表亮相,所诉求的是在提升运算处理能力的同时,还能兼顾到耗电量以及散热管理的能力。

  这颗新一代的运算微处理器,AMD是利用65纳米的SOI CMOS制程技术,将4个CPU积集在同一芯片上,并且在这颗微处理器中的PMOS部分是采用了「embedded SiGe」的材料技术。AMD也延续了过去的习惯,在芯片的中内建了北桥以及RAM内存控制器,在浮点运算能力方面,可以达到过去的4倍。此外值得一提的是,AMD在运算微处理器中设计了三级的高速缓存,L1高速缓存的容量为64KB,提供作为指令及数据暂存之用,L2高速缓存是针对每个CPU设计512KB的容量,而L3高速缓存的容量则为2MB,其作用主要是提供4个核心共同使用。

  这颗4核心运算微处理器除了前述的特点之外,AMD也在内部的电路设计了相当细致的温度管理能力,利用在各CPU核心中分别嵌入了8个与北桥中的6个,合计共有38个温度传感器,来确保长期与高速运作之下,运算微处理器的稳定度与效率,并且针对每一个运算核心都分别设计了独立的PLL电路、电源及温度传感器,这一点作法就和上述只采用一个PLL电路的英特尔设计概念完全不一样。AMD在各运算核心、HyperTransport电路以及北桥、暂存内存控制器中一共设计了10个PLL。另外,AMD电源电压的控制方面,也做了相当大程度的改善,包括各独立的运算核心在内,AMD共设计了10个独立的电压控制区块来确保将耗电量降到最低。

关键字:运算  缓存  温度  传感  电源  设计  指令

编辑:汤宏琳 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/news/control/200802/article_17821.html
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