将65 nm制造工艺用于SoftFone基带处理器 ADI与台积电再出硕果

2007-07-11 09:06:15来源: 电子工程世界

美国马萨诸塞州诺伍德市和中国台湾新竹市消息——美国模拟器件公司(Analog Devices, Inc.,纽约证券交易所代码: ADI)和台湾积体电路制造股份有限公司(台湾证券交易所代码:2330,纽约证券交易所代码:TSM)今天发布一项两家公司经过长期合作取得的重大成果:将台积电公司的65 nm制造工艺用于ADI公司的SoftFone基带处理器,这项设计成果将受益于降低成本和节省功耗——无线手机高级多媒体应用的重要考虑。

ADI公司主管射频和无线系统副总裁Christian Kermarrec先生指出:“ADI公司与台积电公司合作已经长达18年之久。今天,我们ADI公司的许多种产品——模拟集成电路(IC)、数字信号处理器DSP)、射频 (RF)IC和混合信号IC都是由台积电公司加工制造的。”他接着说:“台积电公司保持业界领先地位的先进制造工艺,例如65 nm工艺,在ADI公司的SoftFone芯片组和通用DSP发展进程中一直起到重要作用,从而帮助ADI公司实现不断降低产品成本、节省功耗并且提高性能。”

台积电公司全球业务暨服务资深副总裁金联舫博士说:“基于台积电公司65 nm工艺的ADI公司基带产品的首次硅片投产成功,是对两家公司长期密切合作伙伴关系的一次检验。从初始设计到流片(投片)阶段,两家公司都经历了深入而广泛的合作。ADI公司的卓越设计能力与台积电公司的强大制造工艺的完美组合,不仅使我们在过去成功地推出各种新产品,而且我们相信在今后将继续成功地推出新的芯片。”

关于台积电公司的 65 nm制造工艺

台积电公司的65 nm制造工艺是该公司的第三代半导体制造工艺,它将铜互连与低k介质技术结合起来。这是一种9层金属工艺,内核电压为1.0 V或1.2 V,I/O电压为1.8 V,2.5 V或3.3 V。台积电公司的65 nm工艺支持标准单元极密度,它是90 nm工艺的两倍。65 nm工艺还具有颇具竞争力的6T-SRAM和1T嵌入式DRAM内存单元容量。此外,这项工艺的优点还包括混合信号和射频功能以支持模拟设计和无线设计;嵌入式高密度存储器以支持逻辑和存储的集成;以及电子熔丝以满足用户的加密需求。

关键字:成本  功耗  数字  流片

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