Tower、Ramon完成太空应用抗辐射SoC控制器原型,采用0.18微米CMOS工艺技术

2007-07-06 08:40:43来源: 电子工程专辑

独立专业代工厂商Tower Semiconductor和专精太空应用的无工厂公司Ramon Chips宣布完成用于太空应用的抗辐射系统级芯片(SoC)控制器原型。该控制器采用Tower的0.18微米CMOS工艺技术制造。

该SoC控制器的时钟频率为150-MHz,芯片上的SpaceWire接口具有250-Mbit/s的传输速率,能够承受宇宙辐射和恶劣的环境条件,可用于环绕地球的卫星中的所有应用,以及高可靠性航空应用。

该SoC控制器的设计和制造采用Ramon Chips的防辐射方法和标准单元库,确保采用Tower Semiconductor的生产线制造的部件的抗辐射能力。

根据Ramon Chips公司CEO Ran Ginosar教授今年在Israeli Nano-Satellite Association (INSA)的介绍,该控制器采用Gaisler Research AB公司的Leon-3 32-bit Sparc处理器,代码为GR702RC。第二代GR712RC采用两个Leon-3处理器核,具有更多的外设和片上高速缓存。另一种采用同样的RadSafe库和Tower Semiconductor 0.18微米CMOS工艺的原型已经通过测试。

关键字:传输  速率  时钟  标准

编辑: 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/news/control/200707/14553.html
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