英特尔45纳米CPU引入新技术 称领先对手一年

2007-01-30 08:37:59来源: 新浪科技
1月29日消息,英特尔公司在北京宣布采用全新的晶体管材料,制造出可工作的首批45纳米的Penryn处理器原型产品。这批新品将在下半年投产,并至少领先竞争对手一年时间。

据介绍,英特尔为了突破技术障碍新发明了两项材料:高-k介质和金属栅极材料。利用它们制造的45纳米处理器,将极大程度降低漏电功率,带来更高性能和极大的能效。

“随着越来越多的晶体管被集成到一个硅晶片上,业界一直在研究电流泄漏问题的解决方案。”英特尔高级院士Mark Bohr指出,英特尔在该领域的突破确保了公司在产品与创新方面的领导地位。

英特尔方面表示,这两项新材料的发明,是上个世纪60年代晚期推出多晶硅栅极金属氧化物半导体MOS晶体管以来,晶体管领域最重大的突破。

据悉,英特尔的45纳米产品将于2007年下半年投入生产,英特尔分别设于俄勒冈、亚利桑那与以色列的三家工厂将陆续于2008年上半年交付45纳米产品。目前正在开发的45纳米产品超过15种,涵盖台式机、笔记本、工作站和企业版产品领域。

英特尔先进技术支持与服务部资深技术专家赵军告诉新浪科技,英特尔采用新技术制造45纳米处理器,主要得益于其成本优势和较高的可加工能力。英特尔相信,生产出首批新一代45纳米系列新品中的首批可工作45纳米处理器,标志着英特尔在半导体产业领先至少一年。

值得注意的是,IBM也于日前宣布已通过新技术解决了长期困扰芯片行业的一大难题,确保未来的芯片变得体积更小、功能更强大。

英特尔相关负责人对此表示,英特尔采用新技术的45纳米产品已成功运行系统与程序,并于下半年开始量产,对手至少要到2008年。

上述负责人还指出,英特尔在45纳米技术上,从产品到市场都有领先性,对手65纳米产品的面世时间曾比当初的预测有所延迟,45纳米可能也不乐观。

关键字:晶体管  处理器  泄漏

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