与日立携手打造新硅片,Infineon读取通道IC速率超过3Gbps

2007-07-06 08:38:33来源: 电子工程专辑

Infineon宣称该公司已经演示了超过3Gbps的读取硬盘驱动器读取通道的功能和数据速率。读取/写入通道IC是与日立环球存储科技公司(Hitachi Global Storage Technologies)合作的成果。

与Infineon的6Gbps serdes接口整合在一起时,读取通道内核可使集成的SoC读取/写入SoC针对未来的硬盘驱动器实现更高的数据速率。Infineon表示,该器件特别针对企业应用中硬盘驱动器的下一代垂直记录。

Infineon表示,不同版本的通道内核都来自公共的架构,并通过定制设计以满足特定的目标参数。作为读取通道的补充,半导体制造商还演示了6Gbps多标准PHY硅片,该硅片在即将出台的SAS 6G标准要求的“closed eye”环境下能以零误码率工作。

虽然即将推出的IC是为Hitachi公司开发的,并且IP包含客户指定的元器件,但Infineon发言人表示,为其它客户设计类似硅片的专业技术和版权仍在Infineon的控制之下。该发言人表示,“我们还可以为其它客户制造类似的硅片”。

关键字:内核  误码  数据  接口

编辑: 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/news/analog/200707/14552.html
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