英特尔和IBM实现芯片突破 延续摩尔定律

2007-01-29 08:40:41来源: 新浪科技
北京时间1月28日消息,据国外媒体报道,英特尔和IBM本周五分别宣布,已经通过新技术解决了长期困扰芯片行业的一大难题,确保未来的芯片变得体积更小、功能更强大。分析师认为,这是过去40年里晶体管技术最大的突破之一。

英特尔周五表示,已经开发出新材料来制造晶体管,从而可以解决长期困扰芯片技术发展的电子泄漏和发热问题。与当前材料相比,新材料可以降低晶体管电子泄漏10倍以上,提升晶体管性能20%以上。VLSI研究公司主管丹·哈奇森(Dan Hutcheson)表示:“自上世纪60年代以来,我们从未改变过制造晶体管的基础材料。因此,这无疑是一个巨大的突破。”

哈奇森同时表示:“新技术将让摩尔定律得以延续。”英特尔联合创始人高顿·摩尔(Gordon Moore)1965年提出,单位面积芯片上的晶体管数量大约每两年增加一倍,这就是著名的摩尔定律。多年以来,芯片产业的发展一直遵循着这一规律。但是,随着芯片体积越来越小,发热量成为制约芯片技术发展的一大瓶颈,很多业内人士认为,摩尔定律将成为历史。

晶体管新技术的推出,意味着英特尔、IBM和其它厂商可以采用更先进的技术,例如45纳米生产工艺来生产下一代芯片。英特尔表示,该公司将于今年底把新技术用于新型处理器,从而获得更大的领先优势。英特尔数字企业集团副总裁史蒂夫·史密斯(Steve Smith)表示:“我们相信,这些新产品可以提供更高的性能。与现有产品相比,它们在媒体应用方面的性能提升将达到两位数百分比。”

IBM预计,该公司的新技术将于明年用于AMD和东芝等合作伙伴的芯片。研究人员认为,通过英特尔和IBM研发的新技术,芯片生产工艺至少还可以再进步两代,达到22纳米。现有的晶体管主要采用基于硅的材料,随着晶体管体积的缩小,目前的材料层仅有5个原子厚,由此必然会导致大量电子泄漏,并产生不必要的热量。

关键字:晶体管  电子  泄漏

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