飞思卡尔RF功率晶体管的LDMOS性能可达3.8GHz

2006-02-03 08:33:37来源: 互联网

飞思卡尔(Freescale)日前采用第七代高压(HV7)射频LDMOS技术,推出工作在3.5GHz波段的WiMAX基站的RF功率晶体管。据称这是第一款采用该技术(RF LDCMOS)制造的功率晶体管。目前已能提供12V GaAs PHEMT系列产品,能制造更高功率的GaAs器件,用于WiMAX系统设计以及在2GHz和6GHz间的其它应用。

据称,通过提供RF LDMOS和GaAsPHEMT的功率晶体管,Freescale RF解决方案支持任何大功率无线基础设备的应用,其LDMOS性能达到3.8GHz,GaAs PHEMT性能达到6GHz。

WiMAX系统采用64QAM OFDM信号,QAM OFDM信令对于功率放大器设计者带来一些独特的挑战。在功率回退的RF功率晶体管线性至关重要的,不仅在有掩模要害的广谱形式,而且存在误差向量幅度(EVM)要求。在此之前,硅LDMOS技术在3.5GHz并不提供可接收的RF功率性能。这就意味着化合物半导体器件如GaAs PHEMT是唯一可用的设计器件。

Freescale此款3.5GHz HV7 LDMOS器件提供WiMAX系统所需的效率,线性度和EVM性能,为设计者在化合物半导体和硅LDMOS器件间提供了选择。现在可提供3.5GHz LDMOS的最初器件样品。MRF7S38075H是具有75W P1dB的RF晶体管,平均功率42dBm(16W),满足3.5GHz波段WiMAX性能要求。此外,40W和10W P1dB 3.5GHz器件将在2006年第二季度推出。这三种LDMOS器件目标用在2.3GHz、2.5GHz和3.5GHz新兴WiMAX/WiBRO波段。

据介绍,HV7 LDMOS器件补充了用在3.5GHz WiMAX的12V GaAs PHEMT器件,正在开发的新型高压GaAs器件将工作在6GHz。这使它们非常适合用在这个频率范围的WiMAX和其它无线应用。工作电压超过20V,GaAs器件将会费获得高达100W的功率而依然能满足数字调制系统的严格要求。freescale计划在2006年第三季度提供它的第一个高压GaAs PHEMT器件.

关键字:WiMAX  HV7射频  LDMOS

编辑: 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/newproducts/rfandwireless/200602/204.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
WiMAX
HV7射频
LDMOS

小广播

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关:

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved