安森美扩展功率MOSFET和IGBT驱动器

2008-04-15 09:23:23来源: 电子工程世界

2008414(ON SemiconductorONNN)MOSFET(IC)NCP5106NCP5104NCP5111NCP5304

 

-40125600(V)(V/ns) 50 VdV/dt3.3 V5 V(bootstrap)

 

NCP5104NCP5106BNCP5111NCP5304高压功率门驱动器,提供两路输出,用于直接驱动采用半桥配置的两个N沟道功率MOSFET或绝缘门极双极型晶体管(IGBT)NCP5106A能够用于其它任何高端加低端配置。

 

NCP5104NCP5106NCP5111NCP5304SOIC-8PDIP-82,5000.800.96

关键字:高能效电源  功率MOSFET  高压功率门驱动器

编辑:吕海英 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/newproducts/power/200804/article_17795.html
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