减小50%开关损耗的MOSFET

2008-02-19 14:21:06来源: 电子工程世界

  飞兆半导体推出 40V P 沟道 PowerTrench MOSFET 产品 FDD4141,为功率工程师提供快速开关的解决方案,可将开关损耗减少一半。FDD4141 具有低导通阻抗 (RDS(ON)),与目前的 MOSFET 比较能降低栅极电荷(QG) 达 50%,可让便携、计算、消费和家庭娱乐产品中的异步降压、电池充电和逆变器开关等应用,以更高的速度进行切换,而不会产生过多的热量。快速开关是步降转换器等开关速度需要达到数百 kHz 应用的必备条件。尽管其它 MOSFET 解决方案亦可在较高频率下进行切换,惟这些解决方案的极电荷较高,造成发热更多、效率降低。

  FDD4141采用飞兆PowerTrench 工艺技术制造,可将负载电流更高的晶圆封装在尺寸更小的封装中。PowerTrench 技术将 N 沟道 MOSFET 的特性运用在 P 沟道 MOSFET 中,使到 P 沟道 MOSFET 具备 N 沟道 MOSFET 的性能,并表现出更低的 RDS (ON) 和更低的栅极电荷,继而更高的效率,同时还能够在数百 kHz 的高频下切换,以达致步降转换器的开关要求。

  FDD4141采用无铅 (Pb-free) 端子,潮湿敏感度符合IPC/JEDEC J-STD-020标准对无铅回流焊的要求。所有飞兆半导体产品均设计满足欧盟有害物质限用指令(RoHS) 的要求。

  现提供样品,收到订单后8至10周内交货。

关键字:栅极  电荷  沟道  阻抗  异步  开关  高频

编辑:汤宏琳 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/newproducts/power/200802/article_17579.html
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