NEC电子P沟道MOSFET具超低Rds(on)

2008-01-14 11:16:52来源: 电子工程世界网
  近日,NEC电子(欧洲)宣布推出新型低电压电源管理器件(PMD)。该系列产品的推出使P沟道NP系列产品可覆盖-15A至-100A的漏极电流。

  该系列产品采用普通的TO-252(DPAK)和TO-263(D2PAK)贴片封装。产品包含2种额定漏源电压(-40V和-60V)及可由逻辑驱动产品。在DPAK封装系列中,低漏极电流器件(ID(DC)<50A)中的导通电阻(RDS(ON))为9.6mOhm(NP50P04SDG)至75mOhm(NP15P06SLG)。而在D2PAK封装系列中,额定漏极电流为-100A的器件的导通电阻(RDS(ON))则降至3.7mOhm。

  能实现P-沟道功率MOSFETs超低导通阻抗(RDS(ON))值主要是因为采用了UMOS-4工艺。该工艺采用0.25um的设计规则,将单元密度提高到了160Mcells/inch2,同时降低了单位面积的导通电阻(RDS(ON))。和NP系列的其他产品一样,新产品按照AEC-Q101流程制造,额定温度为175℃,纯锡电镀管脚完全符合RoHS要求。雪崩能量从19mJ(NP15P06SLG)至550mJ(NP100P04PLG),因芯片不同而有所差异。

关键字:封装  贴片  漏极  逻辑  驱动  制造

编辑:汤宏琳 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/newproducts/power/200801/article_17515.html
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