TI 推出面向手持式设备的双电压电平200mA LDO

2007-11-07 16:12:00来源: 电子工程世界

采用 1 毫米 x 1.4 毫米芯片级封装的线性稳压器为 eFUSE 与 SIM 卡编程提供了高灵活性

2007 年 11 月 7 日,北京讯
日前,德州仪器 (TI) 宣布推出首款支持简单动态电压缩放的双电平 200mA 低压降 (LDO) 线性稳压器,该产品采用了微小型五球芯片级封装。该器件具备很高的灵活性,对那些需要双级输出稳压、通过更大存储器支持 eFUSE 或 SIM 卡编程的应用而言非常适用,能满足无线手持终端、PDA、智能电话、MP3 播放器以及其它手持式设备的需求。更多详情,敬请访问:http://focus.ti.com.cn/cn/docs/prod/folders/print/tps728185315.html?DCMP=hpa_pmp_general&HQS=NotApplicable+OT+tps728185315-pr

TI 新型 TPS728185315 LDO 支持 230 mV 超低压降,其输入电压范围为 2.7 V 至 6.5 V,固定输出电压范围在 0.9 V 至 3.6 V 之间。LDO 的 EEPROM 预设电压选项为 1.85 V 与 3.15 V。LDO 可帮助设计人员设置 eFUSE 与 SIM 卡的可切换电压,比方说可就熔丝编程或SIM卡检测提供较高电压,也可在编程结束时提供较低电压。设计人员可在一定时间内在两种电压之间进行切换,不会出现过冲与下冲问题。动态电压缩放还有助于降低漏电流,确保广泛应用于便携式应用中的集成百万晶体管的亚微米处理器(如 TI 超低功耗 MSP430 微控制器)都能高效工作。

集成式高精度带隙与误差放大器在不同负载、线路与温度极限条件下的整体误差不超过 2.5%。TPS728185315 在高达 1 MHz 宽频率范围内不仅实现了高电源纹波抑制比 (PSRR) 与 160 μs 启动时间,而且线路与负载瞬态响应相当出色。该器件可全面设置于 -40o C 至 125o C 的工作温度范围内。

TPS728185315 的关键特性:

·双通道 200mA LDO 稳压器;
·提供从 0.9 V 至 3.6 V 的多种固定输出电压组合,采用出厂 EEPROM 编程;
·VSET 引脚能在两种预设电平间切换输出电压;
o预设输出电压电平可通过 EEPROM 编程为任意组合;
·高 PSRR:1 kHz 时为 65 dB;
·不同负载、线路与温度条件下的误差不超过 2.5%;
·与 1.0μF 陶瓷电容器保持稳定工作状态;
·热关断与过流保护;
·低 IQ:有源模式下为 50 μA;
·低压降:200 mA 下为 230 mV。

价格与供货情况

TPS728185315 LDO 现已开始批量供货,可通过 TI 及其授权分销商进行定购。该器件采用 1 毫米 x 1.4 毫米 x 0.6 毫米 5 球栅 WCSP 与 6 引脚 2 毫米 x 2 毫米 SON 两种封装版本。如欲获取 TPS728xx 评估板 (TPS728185315EVM-267)、设计应用手册以及 TI 新版电源管理选择指南,敬请访问:www.ti.com.cn/power

关于德州仪器公司

德州仪器(TI)提供创新的 DSP 和模拟技术,以满足客户在现实世界中信号处理的需要。除了半导体之外,公司的业务还包括教育技术等。TI 总部位于美国得克萨斯州的达拉斯,在全球超过25个国家设有制造、研发或销售机构。

TI在纽约证交所上市交易,交易代码为TXN。

如欲了解有关TI的进一步信息,敬请查询http://www.ti.com.cn

TI半导体产品信息中心免费热线电话:800-820-8682。

关键字:编程  存储  输入  预设

编辑: 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/newproducts/power/200711/16700.html
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