安森美半导体推新方案 集主电池、墙式充电和USB充电开关于一身

2007-07-31 15:53:34来源: 电子工程世界

NUS3116降低小形状系数便携电子的板级空间

2007年7月31日 – 全球高效电源管理解决方案供应商安森美半导体 (ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN) 为手机等小形状系数便携电子产品推出集成充电和电源开关电路NUS3116。这电路整合了主电池开关、墙式充电开关和USB充电开关于一身,优化手持电子产品的充电性能和节省弥足珍贵的电路板占用空间。

NUS3116 集成了主电源开关 12 伏 (V)、6.2 安培 (A) 的 μCool 单 P 沟道 MOSFET,处理主电池开关功能;它还集成了两个内部低饱和 PNP 晶体管,处理双沟道充电功能。其中,主开关MOSFET的最大漏-源极导通阻抗 (RDS(ON)) 为 40 mW,尽量降低便携电子产品电池工作期间的功率损耗。而两个低 Vce(sat) 晶体管为高达 2 A 的充电电流提供良好的热性能,且在充电结束时的 Vce 电压降低少于 240 mV。

NUS3116 采用无铅型 DFN-8 封装,仅占用 9 平方毫米 (mm2) 电路板空间,与使用三颗 TSOP-6 封装需要互连空间的传统解决方案相比,节省了超过 20 mm2 板级空间。这种封装的高度仅为0.8 mm,使得该器件适合于极小形状系数的便携电子产品设计。采用 NUS3116 集成器件更可减低电路板布局的复杂性。

NUS3116 现已供货,每3,000片的批量单价为 0.80 美元。

更多技术信息,请访问www.onsemi.com.cn,或联系郭树坤 (电邮地址:Ricky.Kwok@onsemi.com)。



关于安森美半导体(ON Semiconductor)

安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)拥有跨越全球的物流网络和强大的电源半导体器件系列,是电源、计算机、消费产品、便携/无线、汽车和工业等市场应用的工程师、采购人员、分销商、及电子代工制造商之首选电源方案供应商。欲查询公司详情,请浏览安森美半导体网站:http://www.onsemi.com.cn

关键字:饱和  晶体  沟道  阻抗

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