飞兆半导体的MLP封装MicroFET产品在小外形尺寸中提供出色的功耗特性

2007-06-05 13:59:31来源: 电子工程世界

业界最广泛面向低压应用的 MicroFET系列又添 7款新产品

飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出7款全新MicroFET产品,为面向30V 和20V以下低功耗应用业界最广泛的小外形尺寸器件系列增添新成员。这些MicroFET产品在单一器件中结合飞兆半导体先进的PowerTrench和封装技术,比较传统的MOSFET在性能和空间方面带来更多优势。例如,它们采用2mm x 2mm x 0.8mm模塑无脚封装(MLP),较之于低压设计中常用的3mm x 3mm x 1.1mm SSOT-6封装MOSFET体积减小55% 及高度降低20%。相比SC-70封装的传统MOSFET,这些新产品更具有出色的功耗传导损耗特性。全新MicroFET器件兼具紧凑封装和高性能特性,成为电池充电、负载开关、升压与直流/直流转换,以及其它众多低功耗、空间受限功率管理应用的理想选择。

飞兆半导体通信产品市务总监Chris Winkler 表示:“飞兆半导体的MicroFET产品经专门设计,能够满足超紧凑、超薄低高度的便携式应用设备不断提升的热性能需求。通过推出7款采用最先进封装技术的器件,飞兆半导体为工程师提供了更为广泛的MicroFET产品选择,能提高其低压应用的热性能和电气性能,并同时节省线路板空间。”

在这些新MicroFET产品中,FDMA1023PZ、FDMA520PZ、FDMA530PZ 和 FDMA1025P分别具备不同的配置,集成了单及双P沟道PowerTrench MOSFET与ESD保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能,FDMA1023PZ更可保证以低至1.5V的极电压 (VGS) 提供低额定导通阻抗RDS(ON)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。

另外三款产品集成了N或 P沟道MOSFET和肖特基二极管。当中,FDFMA2P029Z 和 FDFMA2P857集成了P沟道MOSFET和肖特基二极管,并经优化以提升前向电压 (VF) 和反向泄漏电流 (IR),能将效率提升至最高。这两款器件适用于降低热阻抗至关重要的充电应用。第三款器件FDFMA2N028Z采用N沟道MOSFET和肖特基二极管组合,这种配置非常适合于升压应用。

这些产品采用无铅封装,能够满足甚至超越ICP/JEDEC的J-STD-020C标准要求,并符合现已生效的欧盟标准。.

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飞兆半导体公司简介

美国飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor;纽约证券交易所代号:FCS) 是全球首屈一指的功率模拟和功率分立技术领导,专门为所有电子系统提供高效率的解决方案。作为功率专家 The Power Franchise,飞兆半导体提供业界最先进的半导体和封装技术、制造能力和系统专业。2007 年,飞兆半导体庆祝成立 50 及 10周年纪念,该公司成立至今有 50 年历史,同时也是新的飞兆半导体公司的 10 周年纪念。飞兆半导体于 1958 年开发出平面晶体管,并以此开创出一个崭新的行业,因此被称为“硅谷之父”。今天,飞兆半导体是一家以应用主导及以解决方案为基础的半导体供货商,提供线上设计工具和遍布全球的设计中心,是其全面的 Global Power Resource (全球功率资源) 的一部分。 详情请浏览网站:www.fairchildsemi.com

关键字:传导  负载  电气  电流

编辑: 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/newproducts/power/200706/13954.html
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