飞兆半导体推出 200V/250V PowerTrench MOSFET

2007-03-12 17:19:54来源: 电子工程世界

FDB2614和 FDB2710采用 D2PAK 封装技术,具有同类最佳的 FOM

飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的FDB2614 (200V) 和 FDB2710 (250V) N沟道MOSFET,这两款产品经专门设计,可为等离子体显示板 (PDP) 应用提供业界领先的系统效率和优化的占位空间。利用飞兆半导体专利的PowerTrench 工艺技术,这些MOSFET比较市场上同类型器件提供最低的导通阻抗RDS(on) (FDB2614的典型值为22.9毫欧;FDB2710的典型值为36.3 毫欧)。超低的RDS(on) 加上极低的极电荷 (Qg),使得该器件具有同级产品最佳的品质因数(FOM),因而在PDP系统中能获得更低的传导损耗和出色的开关性能。器件极低的导通阻抗配合超小型的芯片尺寸,再加上200V 或 250V的击穿电压,可以封装在占位面积更小的D2PAK封装中。PowerTrench MOSFET的另一个优势是能够承受高速电压 (dv/dt) 和电流 (di/dt) 开关瞬态响应,有助于提高系统的可靠性。

飞兆半导体功率产品部副总裁Taehoon Kim 表示:“飞兆半导体的FDB2614 和 FDB2710 MOSFET具有领先的FOM及采用紧凑的D2PAK封装,非常适合于PDP应用中的路径开关。这些器件经过量身度做,可为纤巧的PDP板设计提供高电流处理能力和节省占位空间的封装。飞兆半导体这项产品的推出再次彰显了其决心和能力,为客户解决最紧迫的应用问题。”

FDB2614 和 FDB2710的主要功能和优势包括:

§最低导通阻抗RDS(on) 及低栅极电荷,具备同级产品最佳的FOM (RDS(on) x Qg),能够提高系统效率;
§D2PAK (TO-263) 封装,与具有类似RDS(on)的更大型TO-3P封装平面MOSFET比较,能够节省板卡空间;
§高dv/dt 和 di/dt处理能力,增强系统可靠性。

FDB2614和FDB2710均为无铅器件,能达到或甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C标准要求,并符合现已生效的欧盟标准。

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要了解相关产品的更多信息,请访问网页:
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDB2614.pdfhttp://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDB2710.pdf

飞兆半导体公司简介

美国飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor;纽约证券交易所代号:FCS) 是全球首屈一指的高性能功率产品供货商,产品对于现今计算机、通信、消费、工业及汽车领域领先的电子应用至关重要。作为功率专家 The Power Franchise,飞兆半导体提供业界最广泛的组件系列来实现系统功率的优化。飞兆半导体的 9,000名员工从事有关产品的设计、制造和销售工作,包括功率、模拟和混合信号、接口、逻辑及光电子等。详情请浏览网站:www.fairchildsemi.com

关键字:沟道  等离子  阻抗

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