Zetex 新型 MOSFET 适用于超低栅极驱动操作

2007-02-06 11:04:58来源: 电子工程世界

模拟信号处理及功率管理解决方案供应商 Zetex Semiconductors 近日推出三款为有限驱动电压应用设计的N 沟道增强模式 MOSFET。

这三款新产品分别为 20V 的ZXMN2B03E6 (SOT236封装)、ZXMN2B14FH和ZXMN2B01F(两者均为SOT23封装)。这些器件均具有1.8VGS条件下的低损耗开关功能,可以使用两个1.2V 电池或一个锂离子电池驱动。其超低极驱动意味着可以直接通过逻辑门来驱动。

三款新 MOSFET可确保1.8VGS 条件下的导通电阻 (RDS(ON) ) 分别低于75毫欧(m)、100毫欧(m)和200毫欧(m),使之在低压应用中大显身手,例如高端分段开关的电平转换、升压型转换器电路的外置开关,以及低压微控制器和电机、电磁铁等负载的缓冲等。

快速开关性能是Zetex专有UMOS技术的另一个主要功能。例如ZXMN2B01F在VGS = 4.5V和ID = 1A的情况下,上升和下降时间仅为3.6ns和10.5ns。

Zetex简介

Zetex Semiconductors专门设计和制造高性能半导体解决方案,产品针对汽车、通信、消费及工业电子产品的模拟信号处理及功率管理。Zetex的产品涵盖特殊应用线性集成电路和分立式半导体器件,备有多元化封装配置,迎合模拟电路设计对更高能效、精确度和速度的需求。

Zetex是模拟技术方面的专家,致力提供多元化集成电路,这些产品适用于音频、视频和线性应用系统,以及马达控制和DC-DC转换。该公司的分立式器件包括沟道MOSFET、智能场效应管及双极型晶体管。

Zetex总部设于英国曼彻斯特附近,在亚洲、欧洲及美国设有制造和销售业务,经销商遍及逾四十五个国家。(www.zetex.com/salesnetwork)。其母公司Zetex PLC 在伦敦证券交易所上市(上市代码:ZTX)。

关键字:沟道  封装  锂离子

编辑: 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/newproducts/power/200702/8194.html
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