意法半导体(ST)高效功率MOSFET晶体管提高照明应用性能

2006-12-06 10:51:08来源: 电子工程世界

中国,2006年12月5日 — 世界领先的功率半导体产品制造商之一的意法半导体(纽约证券交易所代码:STM)今天推出了新系列功率MOSFET产品的第一款产品。 通态电阻极低,动态特性和雪崩特性非常优异,新系列产品为客户大幅度降低照明应用的传导损耗、全面提升效率和可靠性带来了机会。

商用照明应用市场对更高的功率密度和更低的成本的日益增长的需求激励半导体制造商挑战器件优化的极限。新产品STD11NM60N就是一个这样的挑战半导体器件技术极限的实例,该产品采用ST自主开发的第二代 MDmeshTM 技术,最大通态电阻 RDS (ON) 450 mΩ,该器件的电阻值比上一代MDmesh技术降低了55%,而这一优异特性并不是以牺牲对其温度特性的精确控制为代价的。

除通过最小化电阻值来大幅度降低通态损耗外,这个600V产品的主要特性还包括一个节能的驱动电路,该电路使MOSFET能够在较低的VGS(th)(阈压)电压下驱动更高的电流。 事实上,虽然阈压范围(2V)没有变化,但是驱动该器件所需的VGS电压范围降低了,从而优化了驱动电路的性能,保证了器件具有优异的防止电路意外导通的噪声抑制性能。

STD11NM60N的主要特性包括一个优异的二极管dv/dt性能和出色的雪崩特性,使用户能够把工作温度保证在正常的工作温度范围内。因为传导损耗和功耗都很低,该器件还有助于客户降低散热器的尺寸,从而大大节省了电路板的空间。

该芯片精巧的尺寸,再加上微型的DPAK/IPAK和TO-220FP 封装,使之特别适合照明应用产品,例如,大功率因数电子镇流器和高强度放电灯(HID)电子镇流器。

STD11NM60N现已量产。 订购10,000件,单价0.90美元。

技术说明:

ST的MDmeshTM (多漏极网格TM)技术的卓越性能归功于一个创新的漏极结构,在这个漏极结构中,漏极是半导体纵向延伸的垂直P型带与横向N型源极薄带组成的隔离阵列。 在新一代 MDmesh技术MDmesh II中,得到进一步改良的P型带阵列比前一代MDmesh技术降低通态电阻 55% RDS (ON) ,而这个优异的性能不是以牺牲对温度特性的精确控制为代价的。

详情登录ST公司网站 www.st.com/pmos

关于意法半导体(ST)公司

意法半导体,是微电子应用领域中开发供应半导体解决方案的世界级主导厂商。硅片与系统技术的完美结合,雄厚的制造实力,广泛的知识产权组合(IP),以及强大的战略合作伙伴关系,使意法半导体在系统级芯片(SoC)技术方面居最前沿地位。在今天实现技术一体化的发展趋势中,ST的产品扮演了一个重要的角色。公司股票分别在纽约股票交易所、巴黎Euronext股票交易所和米兰股票交易所上市。2005年,公司净收入88.8亿美元,净收益2.66亿美元,详情请访问ST网站?? www.st.com 或 ST中文网站 www.stmicroelectronics.com.cn

关键字:雪崩  损耗  二极管

编辑: 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/newproducts/power/200612/7341.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
雪崩
损耗
二极管

小广播

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关:

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved