飞兆半导体推出采用3x3平方毫米MLP 封装的UltraFET系列器件

2006-11-30 16:06:44来源: 电子工程世界

新型 200V ?N沟道器件提供最佳的 FOM 和热阻


飞兆半导体公司
(Fairchild Semiconductor) 扩展其功率开关器件解决方案采用超紧凑型 (3mm x 3mm) 模塑无脚封装 (MLP) 100V200V220V N沟道UltraFET器件最适合用于工作站、电信和网络设备中的隔离DC/DC转换器的初级端开关,能满足提高系统效率和节省线路板空间等必须的设计目标。


与市场上类似的
200V MLP 3x3封装器件相比,飞兆半导体的200V器件FDMC2610业界最低的米勒电荷 (3.6nC 4nC) 和最低的导通阻抗 (200mΩ对比240mΩ)。这些特性使该器件的品质系数 (FOM) 降低了27%并且在DC/DC转换器应用中实现出色的热性能和开关性能。该款200V器件具有同类封装器件中最佳 (3C/W 25C/W) 的热阻 (Theta JC),在严苛的环境中也能保证可靠的散热。


飞兆半导体通信应用部市场发展经理
Mike Speed称:“飞兆半导体现为设计人员提供具有业界领先性能的超紧凑型MLP 3x3功率开关产品。我们将PowerTrench 工艺的优点与先进的封装技术相结合,全面提升UltraFET系列的性能。这些产品经过专门定制,能满足现今DC/DC转换器应用中最严苛的设计要求。”


飞兆半导体的
器件除了能提供比市场上同类型封装器件更出色的热性能和开关性能外,仅占用较转换器设计常用的封装器件一半的线路板空间。封装尺寸的缩少可让工程师减小面积及增强封装热容量,以便设计出更小型,更高功率密度的转换器。


飞兆半导体还推出了一款同样采用
封装的沟道平面型器件与这三种沟道器件相辅相成。这个器件针对有源箝位拓朴中同时需要沟道。为设计人员提供了完整的解决方案,


拓朴

FDMC2674

220V

N

FDMC2610

200V

N

FDM3622

100V

N

FDMC2523P

150V

:  
: 8

852-2722-83380755-8246-3088021-5298-6262010-8519-2060

http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMC2674.pdfhttp://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMC2610.pdf

http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDM3622.pdf

http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMC2523P.pdf


飞兆半导体公司简介

美国飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor;纽约证券交易所代号:FCS) 是全球首屈一指的高性能功率产品供货商,产品对于现今计算机、通信、消费、工业及汽车领域领先电子应用至关重要。作为功率专家 The Power Franchise,飞兆半导体提供业界最广泛的组件系列来实现系统功率的优化。飞兆半导体的 9,000名员工从事有关产品的设计、制造和销售工作,包括功率、模拟和混合信号、接口、逻辑及光电子等。详情请浏览网站:www.fairchildsemi.com

关键字:N沟道  DC  隔离

编辑: 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/newproducts/power/200611/7261.html
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