IR推出用于DC-DC降压式转换器的30V DirectFET MOSFET芯片组

2006-07-25 14:20:23来源: 电子工程世界

可减少达一半的占板面积

全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日推出全新30V同步降压转换器芯片组,其中包括IRF6631控制MOSFETIRF6638同步MOSFET。该芯片组采用双面冷却的IR基准DirectFET封装和最新的HEXFET MOSFET技术,可以在中电流水平(低于18安培)实现更高的效率和散热表现。其应用包括先进笔记本电脑、台式电脑、电信和数据通信,以及需要细小、高效及更好的导热效果来提高功率密度的通用同步降压设计。

IR中国销售总监严国富指出:“全新的DirectFET芯片组是设计人员所需应用于中功率水平之细小,快捷开关,及1518安培功率转换器的最佳选择。它们不仅能在58安培应用上提高超过百分之一的效率,还比采用3SO-8器件的典型方法节省了百分之五十的占板面积。

nC mohmsnC比先前的产品减少了16%IRF6638 DirectFET同步FET4.5V时可提供3.0mohm的典型导通电阻,在保持同一栅极电荷时,比现有的器件减少了12%

IR获得专利的DirectFET MOSFET封装体现了以往标准塑料分立封装没有具备的一系列设计优点。金属罐构造可以实现双面冷却,使先进微处理器供电的高频DC-DC降压转换器的电流处理能力提升了一倍。此外,采用DirectFET封装的器件均符合有害物质RoHS)规定。

IRF6631IRF6638 DirectFET MOSFET现已供货,产品基本规格如下:

产品编号

封装

以下最大mΩ

4.5以下最大mΩ

典型

典型

IRF6638

IRF6631

关键字:MOSFET  控制  芯片

编辑: 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/newproducts/power/200607/5145.html
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