datasheet

VLSI探讨半导体工艺、设计的融合

2008-06-23来源: 电子工程世界 吕海英 编译 关键字:制程  金属栅极  材料  CMOS  工号  缓存

  2008年6月17日~20日于夏威夷举行的VLSI(超大规模集成电路)技术研讨大会充分证明了半导体工艺和设计之间是相互依存的。该会议将两天都用于讨论从制程、器件和电路到系统级设计、应用的相关事项。

  体现融合趋势的论文

  在三篇论文中,Sematech半导体联盟专家详述了扩展CMOS逻辑的新技术,同时描述了当前半导体技术如何能够从未来需求扩大、性能不断提升中受益。

  Sematech新兴技术副总裁Raj Jammy说:“我们的目标是为不断发展的半导体技术提供创新、实用的解决方案,这些方案能够容易地与真实世界制造环境融合。”

  这篇论文探讨了前沿研究领域如高k/金属栅极(HKMG) 材料、平面及非平面CMOS技术。同时专家透露了一种能够使得小于1纳米的EOT(等效氧化物厚度)表现出22纳米结点上的SiGe PFET(硅锗沟道场效应晶体管)的性能。

  同时,IBM研究员推出一种45nm、6个晶体管L1和L2缓存的(SRAM)静态随机存储芯片组原型,其能够使SRAM单元的运行速度超过6.5GHz。这是继2007年在东京举行的VLSI会议上IBM所展示技术的又一进步,那时是一个8晶体管器件运行在6GHz。

  IBM Watson研究中心的研究员Rajiv Joshi说:“研究结果表明一个六晶体管器件是可能实现高性能的,前提是保持所有功能,同时利用一些新的可以提高写入、稳定和读写分析的装置。这也意味着比起以前的6晶体管设计其可以更准确地测量内部单元的运行速度。”

  此外, 一种最新基于蒙特卡罗法的超快统计分析被用来设计SRAM(静态随机存储器)的电路和阵列。其所使用的算法和方法提高了蒙特卡罗法的分析。该技术已成功运用到预测静态存储器生产量上。

  节能

  富士通实验室和富士通微电子有限公司最近开发了一种新的电路技术,其能够在1微秒内快速实现电源从关闭到工作的状态变化。这将能够延长“关断”时间或睡眠时间,从而减少了芯片的漏电流,使高度集成的芯片消耗较少功率。

  据富士通研究人员称,富士通在一个90纳米工艺、拥有2百万门的双核处理器上对该技术进行了测试。所得到的恢复时间为240纳秒和电源供应噪声为2.5毫伏,而现存技术为20毫伏,减少了87.5%。

  同时,该研讨会还展示了美国密西根大学研究的微芯片,与目前市场产品相比,其可将工作功耗降低10倍,更可将睡眠模式的功耗减小3万倍。

  Phoenix处理器面向基于传感器的设备,如医疗植入设备、环境监测和监视设备。该芯片在休眠模式仅消耗30皮瓦。Phoenix处理器的大小与薄膜电池相同。

  研究人员将Phoenix处理器放入一个生物传感器,从而监测青光眼患者的眼压。工程师设想该芯片也能分散形成一个无形的传感器网络,来监测空气、水以及运动。

  该器件 默认为睡眠模式。美国密歇根大学电气工程与计算机科学系副教授Dennis Sylvester说:“在传感器中,睡眠模式的功率占主导地位,因此我们在最初设计时,就将高效的睡眠模式作为首要目标。而这是前所未有的。”

关键字:制程  金属栅极  材料  CMOS  工号  缓存

编辑:汤宏琳 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/newproducts/packing/200806/article_18094.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

上一篇:OK全新APR-5000-DZ阵列封装返修系统提供双对流底侧加热功能
下一篇:低谷=机会—访Watlow亚洲区董事总经理

关注eeworld公众号 快捷获取更多信息
关注eeworld公众号
快捷获取更多信息
关注eeworld服务号 享受更多官方福利
关注eeworld服务号
享受更多官方福利

推荐阅读

目前为止最快的骁龙,7nm制程骁龙8cx 联想有望首发

北京时间12月7日凌晨3点,高通骁龙峰会上又带来一重磅惊喜——媲美15W酷睿、可以视作视为骁龙855的超级加强版的高通骁龙8cx移动平台终于揭开了神秘面纱。    官宣:目前为止最快的骁龙Adreno 680是高通目前升级跨度最大的GPU,性能与前代骁龙835移动平台对比有了3.5倍的提升,效能相比骁龙850提升60%。而专为PC打造的CPU——64位Kryo 495,使用的也是7nm制程,4大核心+4小核心。每个核心都有自己的二级缓存,所有核心共享三级缓存、系统缓存,共计10MB。除了以上优化,骁龙8cx移动平台的内存接口也从64位加宽到了128位。还有更多关键词:快充、4K、影音功能优化、支持
发表于 2018-12-07
目前为止最快的骁龙,7nm制程骁龙8cx 联想有望首发

手机热板已进入蚀刻制程 要努力降低成本

将并入日商的散热模块厂超众29日表示,因要追求轻薄,手机散热板已经进入蚀刻制程,但他坦言,成本仍是目前最大的问题,工程师已全力进行制程简化,并顺利降低成本。超众财报说明会登场,由于日本电产在10月宣布要公开收购,目前也已经完成相关进程,加上该案为台湾散热产业最大的收购案,备受行业关注。超众总经理郭大祺透露,目前已经与日本电产进行密切交流互动,双方也决定将一起参加明年的美国消费性电子大展CES。郭大棋表示,对于日本电产后续的合作方式,基本上是相当灵活的,不会是单打独斗,在很多旧客户部分,因超众跟日本电产都是合格供应商,可能不会改变既有的运作模式,但新客户部分,也不一定要一起来拓展,将依客户的需求决定,不过希望以系统解决方案的方式
发表于 2018-11-30

技术文章:阻碍半导体制程良率的关键因素

随着高科技半导体技术不断的发展下,半导体产业被誉为科技业的命脉,中国半导体设备市场预估于2019年将登全球第一,成为中国经济的支柱。然而对于未来半导体发展决胜的关键,莫过于取决如何控制各制程环境中的微污染气态分子(Airborne Molecular Contamination, AMC),系为影响半导体制程良率最主要的关键因子。正因需逐步化解此议题,主要指标半导体企业都相继采用空气化学过滤器作为解决方案。 自1987年来,钰祥企业在AMC控制技术已有30年的经验,致力于改善微污染空气质量,提供空气微污染防治方案,持续积极研发制造空气过滤化学过滤器。滤料可装置于钰祥各式产品上,包括在深褶包覆式过滤器与大型深床式正压
发表于 2018-11-21
技术文章:阻碍半导体制程良率的关键因素

Saint-Gobain 依托Manz 专业技术开发最新激光制程 ACTILAZ™

中国苏州——德国高科技设备制造商 Manz 集团宣布成为法国工业集团 Compagnie de Saint-Gobain 的技术合作伙伴,开发了用于隔热玻璃表面处理的全新激光制程;此外激光专业大厂 TRUMPF GmbH + Co. KG 也参与了这项为期多年的项目。Manz 薄膜太阳能事业部长年以来累积的专业知识也将充分运用于 ACTILAZ™ 的实施。 ACTILAZ™ 使用“激光退火”,有效提高了金属镀膜的效率,尤其是建筑应用所需的超大面积玻璃基底镀膜。Saint-Gobain 与 TRUMPF 和 Manz 所建立的广泛开发合作关系,起初的开发目标在于改善玻璃的隔热特性,同时达到最高的光传输率
发表于 2018-11-20
Saint-Gobain 依托Manz 专业技术开发最新激光制程 ACTILAZ™

Manz 专业技术开发最新激光制程 ACTILAZ™

德国高科技设备制造商 Manz 集团宣布成为法国工业集团 Compagnie de Saint-Gobain 的技术合作伙伴,开发了用于隔热玻璃表面处理的全新激光制程;此外激光专业大厂 TRUMPF GmbH + Co. KG 也参与了这项为期多年的项目。Manz 薄膜太阳能事业部长年以来累积的专业知识也将充分运用于 ACTILAZ™ 的实施。 ACTILAZ™ 使用“激光退火”,有效提高了金属镀膜的效率,尤其是建筑应用所需的超大面积玻璃基底镀膜。Saint-Gobain 与 TRUMPF 和 Manz 所建立的广泛开发合作关系,起初的开发目标在于改善玻璃的隔热特性,同时达到最高的光传输率。首台ACTILAZ™ 设备已于
发表于 2018-11-19
Manz 专业技术开发最新激光制程 ACTILAZ™

IP服务开发商円星科技宣布明年抢进7纳米制程技术开发

IP等;以及基础IP如元件库 (cell library)、储存器编译器 (memory compiler),与输出输入界面(IO),终端应用涵盖移动多媒体储存、物联网、车联网、人工智能,与云端运算等领域。          以先进制程来看,円星与世界级半导体大厂如台积电等合作紧密,并积极投入各项成熟制程与先进制程的IP核开发与验证,现阶段已完成从180纳米到16纳米的IP布局。2018年投入AI与车用芯片陆续通过车用功能安全ISO 26262 开发流程认证与相关产品认证,并打入全球一级车厂供应链。円星也宣布,2019年将展开7纳米制程产品
发表于 2018-11-15

小广播

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 市场动态 半导体生产 材料技术 封装测试 工艺设备 光伏产业 平板显示 电子设计 电子制造 视频教程

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2018 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
pt type="text/javascript" src="//v3.jiathis.com/code/jia.js?uid=2113614" charset="utf-8">