32nm工艺High-K金属栅极试产成功

2008-04-25 09:25:58来源: 电子工程专辑

  IBM公司及其技术同盟厂商,包括特许半导体、飞思卡尔、英飞凌、三星、意法半导体和东芝日前共同宣布,他们在IBM位于美国纽约州East Fishkill的300mm晶圆厂已经成功展示了32nm High-K金属栅极技术晶圆,联盟各厂商客户现在已经可以开始进行32nm芯片产品的设计开发工作。

  据该产业联盟称,其32nm工艺High-K金属极技术,相比45nm工艺能够在相同的电压下性能提高35%,同时能耗降低30%到50%。同盟中的IBM、特许和三星已经开始进行32nm High-K金属栅极技术的OEM应用进程。其低功耗32nm开发套件能够平滑过渡到28nm技术,未来还将升级到22nm。

  联盟厂商已经通知其合作伙伴开始进行32nm产品的设计,从今年第三季度开始将通过原型设计巡回的方式对32nm High-K金属栅极技术开发进行支持。预计能够在明年下半年看到32nm处理器上市。

关键字:晶圆  客户  栅极  设计  开发  功耗  原型  处理器

编辑:汤宏琳 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/newproducts/packing/200804/article_17905.html
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