奥地利微电子为代工用户扩展CMOS、高压、高压FLASH和RF多项目晶圆服务

2007-11-15 14:21:48来源: 电子工程世界

针对高压CMOS、高压 CMOS 嵌入式 FLASH、SiGe-BiCMOS 和 CMOS 专业工艺的原型时间表将更加全面

中国 —— 奥地利微电子的全方位服务晶圆代工厂业务部推出一份更加全面的 2008 年度时间表,扩展了其具有成本效益的、快速的专用集成电路(ASIC)原型服务,即所谓以多项目晶圆 (MPW) 或往复运行(shuttle run)。该服务将来自不同用户的若干设计结合在一个晶圆上,有助于众多不同的参与者分摊晶圆和掩膜成本。

奥地利微电子的 MPW 服务包括基于 TSMC(台积电)0.35μm CMOS 工艺的全程0.35μm尺寸工艺。兼容 SiGe BiCMOS 技术的 CMOS 有助于在一个 ASIC 中以高达 10 GHz 的工作频率及高密度数字元件实现 RF 电路设计。0.35μm 高压 CMOS 工艺系列包括非常适用于电源管理产品和显示驱动器的 20V CMOS,以及为汽车和工业应用优化的 50V CMOS 工艺,能够满足客户的高压应用方案和产品需求。先进的嵌入了 FLASH 功能的高压 CMOS 工艺丰富了奥地利微电子 MPW 服务内容。通过与 IBM联合开发,奥地利微电子首次在原型服务中提供了先进的 0.18μm 高压 CMOS 技术 H18 。H18 工艺技术基于 IBM 业界公认的0.18μm CMOS 工艺 CMOS7RF,非常适用于手机、PDA、便携式媒体播放器以及其他移动设备中的智能电源管理 IC。

2008 年,奥地利微电子通过与CMP-TIMA、Europractice、 Fraunhofer IIS 和 MOSIS等公司的长期持续性合作,将有150多个MPW启动日期。2008年度的完整时间表及每个工艺的详细启动日期均可登陆以下网站查询:
http://asic.austriamicrosystems.com/cot

为了获得 MPW 服务的优势,奥地利微电子的代工客户需要在特定日期提交其GDSII数据,可在较短的交货时间内收到未经测试的封装样品或裸片,CMOS 通常为8周, 0.35μm 高压 CMOS、 SiGe-BiCMOS 和 嵌入式 FLASH 工艺为 10 周。所有 0.35μm MPW 均采用奥地利微电子位于奥地利的先进 8 英寸晶圆制造设备生产。

所有工艺技术均得到了著名的HIT-Kit 的支持。该套件是基于 Cadence、Mentor Graphics 或 Agilent ADS设计环境的先进工艺设计套件,包含了全面的硅认证标准单元、外围元件、通用模拟元件,如比较器运算放大器低功耗 A/D 和 D/A 转换器。定制模拟和 RF 器件、Assura 和 Calibre物理验证规则集,以及具有卓越特性的电路仿真模型,均有助于复杂的高性能混合信号集成电路设计的快速启动。除了标准原型服务之外,奥地利微电子还提供模拟 IP 模块、存储器(RAM/ROM)生成服务和陶瓷或塑料封装服务。

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编辑: 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/newproducts/packing/200711/16852.html
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