LDMOS基站的功率效率突破性提升

2008-05-16 16:43:25来源: 电子工程世界

恩智浦半导体今天推出基站功率晶体管这是恩智浦应用其业界领先的横向扩散金属氧化物半导体技术的首款产品为高功耗放大器应用进行了优化。恩智浦的第七代LDMOS技术可以实现目前功效最高的LDMOS解决方案与上一代产品相比功率密度提高了20%功率效率增长了两个百分点,而Rth热阻则降低25%以上
恩智浦RF功率产品线市场部门经理Mark Murphy表示:随着移动电信运营商开始提供基于HSDPALTE技术的超高速服务无线网络基础设施的功率需求也已达到空前的水平。第七代的性能,达到且输出电容减少实现宽频输出匹配从而设计出更加简单、性能更好的放大器。已经成为新型基站发射器的首选放大器架构帮助无线网络运营商提高效率并降低成本。ABI Research射频RF)元件与系统研究总监表示随着数据驱动型服务逐渐成为无线基础设施的更重要的组成部分一流的RF功率放大器性能就成为必需。恩智浦的第七代LDMOS技术,凭借其在功率密度和热性能方面取得的重大进步,理当成为公司进入相关应用顶级设备市场时的重要资产。供货恩智浦的第七代新型基站晶体管将于号在国际微波研讨会的第号展位进行展示。工程样片将于年第三季度问世。基于恩智浦第七代LDMOS技术的其他产品将于2009年推出。

关键字:基站  LDMOS技术  电容  无线基础设施

编辑:吕海英 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/newproducts/network/200805/article_17984.html
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