Ramtron推出串口256Kb F-RAM器件

2009-07-23 13:44:17来源: EEWORLD

      全球领先的非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation,发布了两款具有高速读/写性能、更低工作电压和可选器件功能的新型串口非易失性F-RAM产品,分别是带有两线制接口(I2C)的FM24V02和带有串行外设接口(SPI)的FM25V02。两款256Kb器件是Ramtron公司V系列F-RAM产品的最新型号,工作电压范围为2.0V至3.6V,采用行业标准8脚SOIC封装,具有快速访问、无延迟(NoDelay™)写入、几乎无限的读/写次数及低功耗等特点,是工业控制、表计、医疗电子、军事、游戏、计算机及其它应用领域的256 Kb 串口闪存和串口 EEPROM存储器的兼容替代产品。

      Ramtron 市场推广经理Mike Peters 称:“这两款256 Kb V系列串口器件,具有相比上一代产品更低的工作电压和更高性能,可用于替代FM24L256和 FM25L256B等旧型号器件。我们不断扩展V系列产品线,履行Ramtron对环境的承诺,提供功效更高的非易失性存储器产品,同时免除对电池的依赖。”

关于FM24V02 和FM25V02

      FM24V02能以最高3.4 MHz的I2C总线速度执行写入操作,并支持100 kHz 和400 kHz的传统总线频率。此器件无写入延迟,而且无需进行数据轮询即可开始下一个总线周期。此外,FM24V02提供高达100万亿 (1E14)的读/写次数,相比EEPROM高出几个数量级。FM24V02在执行写操作时不需要为写入电路提供内部升高的电源电压,因而功耗也远较EEPROM为低。FM24V02工作模式耗电低于150μA (通常在100KHz下),待机模式下则为90μA,而睡眠模式耗电更低至5μA。

      FM25V02 在40 MHz SPI时钟频率下运作的耗电量仅为3mA,待机模式下为90μA,睡眠模式下则为5μA。FM25V02的典型运作功耗只有 38μA / MHz,较此类的串口闪存或EEPROM产品耗电降低了一个数量级。

      两款串口器件FM24V02和FM25V02均具有标准的只读器件ID,可让主机确定制造商、存储容量和产品版本信息。它们还提供可选的独特只读序列号,方便确定带有全球独有ID的主机电路板或系统。最后,FM24V02 和 FM25V02能确保在-40°C至+85°C的温度范围工作,极之适合工业应用。

关于V系列F-RAM

      Ramtron的V系列F-RAM产品采用由Ramtron和德州仪器共同开发的先进130nm CMOS生产工艺制造,包括多种容量的I2C、SPI和字节宽度的并口存储器。其先进的制造工艺能够提高器件性能,并增加功能集。除了FM24V02和FM25V02之外,V系列F-RAM包括以下型号:

• FM24V10 (1Mb串口I2C F-RAM)
• FM25V10 (1Mb串口SPI F-RAM)
• FM24V05 (512Kb串口I2C F-RAM)
• FM25V05 (512Kb串口SPI F-RAM )
• FM28V100 (1Mb并口F-RAM)

关键字:Ramtron  F-RAM  EEPROM

编辑:冀凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/newproducts/memory/200907/article_18532.html
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