东芝与SanDisk发表43nm 16Gbit 闪存

2007-12-25 09:30:27来源: 电子工程世界

在12月10~12日的2007 IEDM上,东芝和Sandisk发表了基于43nm工艺的多值16Gbit闪存,该芯片面积为120平方毫米,可以封装在超小型存储卡“microSK ”内。会议上的演讲题目为“A 120mm2 16Gb 4-MLC NAND Flash Memory with 43nm CMOS Technology”。

通过将存储单元的控制栅极和浮游极间的绝缘膜厚度减到不足13nm,实现了多值记忆和高速写入。此外,由于字线采用钴矽化物材料、位线采用铜材料,从而减小了行解码器和位线控制电路的面积。

关键字:栅极  绝缘  材料  单元

编辑: 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/newproducts/memory/200712/17477.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
栅极
绝缘
材料
单元

小广播

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关:

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved