RAMTRON扩展非易失性状态保存器系列 推出全新4位器件

2007-09-12 09:42:39来源: 电子工程世界

系列中包括待机电流低于.5μA的超低功耗器件适用于便携式、电池供电和低功耗系统

全球领先的非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布扩展其非易失性状态保存器系列,推出4位状态保存器,以4位 F-RAM技术为基础,无需耗电即可保存逻辑状态,并在上电时自动恢复输出。任何状态改变均会自动记录在非易失性的铁电锁存内,这是因为F-RAM存储器技术具备独特的高速写入能力和低功耗特性,以及极高的耐用性。

FM111x 4位状态保存器目前有三款产品:即工作电压为5V的FM1110;以及工作电压为3V的FM1112 和FM1114。FM111x系列的操作类似传统的逻辑构件,使用起来就像双锁存或D型触发器一样简单,但在断电时可自动存储和保持逻辑状态,从而简化系统控制功能在各种应用中的设计,包括开关接口、转换寄存器、继电器驱动器、LED驱动器、错误标记记录、掉电状态检测、防拆指示器、开门指示器、电机开/关控制、替换拨码开关、替换跳线器及其它非易失性逻辑电路。FM1114的独特之处在于具有低于.5μA的超低待机电流,因而适用于便携式、电池供电及低功耗应用,如八进制锁存和非易失性计数器等。

Ramtron技术市务总监Craig Taylor称:“FM111x是2位状态保存器的自然扩展,专为应用需要更多数据的客户而开发。4位状态保存器是不断演变的真正创新产品系列中的第二个产品线,F-RAM技术具备高速写入、低功耗和几乎无限的耐用性,因而使到这一功能能够实现。”

这种低功耗非易失性状态保存器是一个逻辑构件,无需读取存储器就可以对非易失性系统设置进行连续存取。它能够存储变化频繁而毋须预先通知的信号,还可以在无需增加串行存储器系统开销的情况下,对系统设置进行非易失性存储。

产品特性

FM1110的工作电压范围为4.5 至5.5V;FM1112则为2.7至3.6 V,具有低于10 μA的低待机电流;FM1114的工作电压范围也是2.7至3.6 V,但具有低于.5μA的超低待机电流。所有器件均以1 KHz的频率连续改变状态,并提供无限次的状态改变,可在整个工业温度范围 (-40℃至85℃) 内工作,且采用16脚 “绿色” QFN封装。要了解有关产品的详细信息,请访问网址:www.ramtron.com/statesaver

供货

FM111x的工程样品现已提供,器件采用符合RoHS要求的16脚QFN封装。

关于Ramtron International

Ramtron International (纳斯达克代码:RMTR) 总部设在美国科罗拉多州Colorado Springs市,专门设计、开发和销售专用的半导体存储器、微控制器和集成半导体解决方案,广泛用于全球多个应用和市场。此外,Ramtron与各大授权厂商和制造商合作,将其技术推向市场。要了解更多信息,请访问公司网站www.ramtron.com

关键字:封装  逻辑  驱动  指示

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