安森美推出高度仅0.5mm的ESD抑制器件

2006-01-17 13:03:50来源: 互联网

安森美半导体(ON Semiconductor)公司推出μESD (微型ESD)双串联高性能微型封装静电放电(ESD)保护二极管。该器件专为电压敏感元件提供双线保护而设计,适于需要最小板面积和低高度的应用,如手机、MP3播放器和便携式游戏系统。

安森美半导体小信号部市场营销主管Gary Straker介绍说:“对致力于满足严格的ESD标准的设计人员而言,安森美半导体的μESD双器件提供了替代常用多层可变电阻(MLV)的令人注目的方案。μESD双器件可以在小于两个0402 MLV的板面积内保护两条线路,同时具有多种性能优势,包括钳制电压较低、漏电较少、响应时间较短,且能够承受多次ESD冲击,而在电气性能上无偏移。”

这些器件设计采用目前市场上最小的3引脚塑料封装来获取最佳的ESD抑制性能。μESD双串联可在不足一纳秒内钳制30kV ESD瞬流(符合IEC61000-4-2标准),确保电压敏感元件受到保护。这些器件可将ESD脉冲电压钳制至低于7V,以保护最敏感的系统并减小对电路功能的干扰。

μESD双串联系列的另一特性在于采用超小的SOT-723封装。由于其外形尺寸仅为1.2×1.2mm,因此适合于板面积受限的设计。由于此封装的高度仅有0.5mm,设计人员因此能够在不影响功能的同时,实现高度的最小化。这种串联将双线保护集成入一个封装中,可以进一步减小所需的板面积和系统元件数量,从而简化了封装工艺。这些新型ESD保护器件关断状态的漏电电流仅为0.05μA,非常适于手持式产品应用。它们的电容仅为35pF,适于为数据速率高达10Mb/s的数据线提供保护。

μESD3.3D和μESD5.0D采用SOT-723封装,每10,000件的批量单价为0.07美元(仅供参考)。

编辑: 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/newproducts/measure/200601/72.html
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