Vishay 新型TrenchFET® 功率 MOSFET

2008-06-18 18:01:04来源: 电子工程世界 关键字:20VP通道TrenchFET®  功率  MOSFET

       2008 年 6 月 18 日,Vishay Intertechnology, Inc.推出新型 20V p 通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Vishay Siliconix Si8445DB,该器件采用 MICRO FOOT® 芯片级封装,具有业界最小占位面积以及 1.2 V 时业界最低的导通电阻。

       随着便携电子设备的体积越来越小以及它们功能的不断增加,电源管理电路的可用板面空间会极大减少。为实现消费者对用电池做电源的电子设备的更长运行时间的期望,设计人员需要具有低功耗的更小 MOSFET 封装---这恰恰是新型 Vishay Siliconix Si8445DB 所具有的特点

       凭借 1.2mm×1.0mm 的超小占位面积,Si8445DB 比业界大小仅次于它的器件小20%,同时具有 eeworld.com.cn/tags/?.5%/tiezi/" target="_blank">0.59mm 的相同超薄厚度。Si8445DB 具有 1.2V VGS 时 0.495Ω~4.5V VGS 时 0.084 Ω的低导通电阻范围。1.2 V 时的低导通电阻额定值降低了对电平位移电路的需求,从而节约了便携式电子设计中的空间及功率。

       该新器件的典型应用将包括手机、PDA、数码相机、MP3 播放器及智能电话便携式设备中的低阈值负载开关、充电器开关及电池管理。

       目前,该新型 MICRO FOOT 芯片级功率 MOSFET 的样品与量产批量已可提供,大宗订单的供货周期为 10~12 周。

关键字:20VP通道TrenchFET®  功率  MOSFET

编辑:吕海英 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/newproducts/eda/200806/article_18082.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

上一篇:ADI转换器评估与开发工具包加快设计
下一篇:东芝为电路设计开发出新型紧凑模型

论坛活动 E手掌握
关注eeworld公众号
快捷获取更多信息
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
20VP通道TrenchFET®
功率
MOSFET

小广播

独家专题更多

迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
​TE工程师帮助将不可能变成可能,通过技术突破,使世界更加清洁、安全和美好。
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 市场动态 半导体生产 材料技术 封装测试 工艺设备 光伏产业 平板显示 电子设计 电子制造 视频教程

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2017 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved