Vishay 新型TrenchFET® 功率 MOSFET

2008-06-18 18:01:04   作者：   来源：电子工程世界

关键字：20VP通道TrenchFET® 功率 MOSFET

       2008 年 6 月 18 日,Vishay Intertechnology, Inc.推出新型 20V p 通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Vishay Siliconix Si8445DB，该器件采用 MICRO FOOT® 芯片级封装，具有业界最小占位面积以及 1.2 V 时业界最低的导通电阻。

       随着便携式电子设备的体积越来越小以及它们功能的不断增加，电源管理电路的可用板面空间会极大减少。为实现消费者对用电池做电源的电子设备的更长运行时间的期望，设计人员需要具有低功耗的更小 MOSFET 封装---这恰恰是新型 Vishay Siliconix Si8445DB 所具有的特点。

       凭借 1.2mm×1.0mm 的超小占位面积，Si8445DB 比业界大小仅次于它的器件小20%，同时具有 0.59mm 的相同超薄厚度。Si8445DB 具有 1.2V VGS 时 0.495Ω～4.5V VGS 时 0.084 Ω的低导通电阻范围。1.2 V 时的低导通电阻额定值降低了对电平位移电路的需求，从而节约了便携式电子设计中的空间及功率。

       该新器件的典型应用将包括手机、PDA、数码相机、MP3 播放器及智能电话等便携式设备中的低阈值负载开关、充电器开关及电池管理。

       目前，该新型 MICRO FOOT 芯片级功率 MOSFET 的样品与量产批量已可提供，大宗订单的供货周期为 10～12 周。