Synopsys的DesignWare USB 2.0 nanoPHY和PCI Express PHY IP可用于中芯国际的0.13微米工艺

2007-09-27 16:21:55来源: 电子工程世界

经过硅验证的混合信号IP可轻松集成到SoC

全球领先的电子设计自动化(EDA)软件工具领导厂商Synopsys公司(纳斯达克上市代号:SNPS)今天宣布基于中芯国际130纳米G工艺的DesignWare USB 2.0 nanoPHY IP已获USB标志认证,PCI Express (PCIe) PHY IP已通过一致性测试。作为用于PCI Express和 USB 2.0 的完整IP解决方案的领先技术供应商,Synopsys一贯为设计者提供高质量IP,该IP不但集成风险低、上市时间短,而且具有很高的互操作能力和标准兼容性。

DesignWare USB 2.0 nanoPHY IP针对高容量和功耗要求高的应用进行了优化,可同时实现小尺寸和低功耗。该PHY独特的可调性使设计者能够根据工艺变化和系统寄生效应做出快速调整,从而实现高良率和强大的互操作性。DesignWare USB 2.0 nanoPHY是整套USB协议实施解决方案的一部分,整套方案还包括OTG数字控制器、主控制器和验证IP。经过硅验证的DesignWare USB OTG解决方案已在领先的消费、计算和无线产品实现量产。

用于PCI Express的 DesignWare PHY IP与PCI Express 1.1兼容,可提供最低功耗,相当于竞争产品的一半,并可保证接收器和小尺寸芯片的出色容限性能。该IP高级的内置诊断引擎和ATE测试向量能够对PHY进行快速生产测试。此外,用于PCI Express的 DesignWare PHY IP还可提供x1 到 x8局域网仿真配置,支持打线封装和倒装芯片封装。用于PCI Express的 DesignWare PHY IP是经过硅验证的完整PCIe解决方案的一部分,该解决方案还包括终端、双重模式、根联合体、交换IP和验证IP。

中芯国际市场及销售部门副总裁欧阳雄表示:“Synopsys为我们的客户提供了业内领先的USB和PCIe IP,这些产品具有卓越丰富的性能和出色的技术支持。将Synopsys公司经过硅验证的IP与我们的制造工艺技术结合,设计者能够实现快速上市的目标,同时这也是低风险快速实现量产的最佳途径。”

Synopsys IP及服务业务高级市场总监John Koeter表示:“与中芯国际合作,将我们的PCIe 和 USB IP用于中芯国际的0.13微米工艺,对其进行硅验证和认证,表明我们不断为客户提供业内领先的标准连接IP。我们将为设计者提供经过认证的高质量IP解决方案,并将随着先进工艺技术的发展而不断完善,以满足客户的严格要求。”

供货

基于中芯国际0.13微米工艺的DesignWare USB 2.0 PHY IP、USB 2.0 nanoPHY IP和PCI Express PHY IP 现已供货。

关于 DesignWare Core

Synopsys的DesignWare Core为系统设计者提供了经芯片生产验证并应用于某些世界最为著名产品的数字和模拟互连知识产权(IP),这些产品包括通讯处理器、路由器、交换机、游戏机、数码相机、计算机和计算机外设。这些核心产品通过可综合的RTL源代码或GDS格式提供,从而让设计者能够创建创新的、经济高效的系统级芯片和内嵌系统设计方案。对于DesignWare Core,Synopsys采用了灵活的许可证授予方式。每个core产品既可以在按项目收费的基础单独授予许可证,也可以与用户签订批量采购协议,从而在单一协议下获得所有core产品的许可证。如需更多信息,请访问http://www.designware.com

关于Synopsys

Synopsys 公司(纳斯达克上市代号:SNPS)是全球半导体行业电子设计自动化(EDA)软件工具的领导厂商,为全球电子市场提供技术先进的系统、半导体设计和验证平台、集成电路(IC)制造和良率优化解决方案以及半导体知识产权和设计服务。这些解决方案可帮助客户开发和生产复杂的集成电路以及电子系统。通过其完整全面的解决方案,Synopsys 可帮助设计人员和制造商应对当今的主要挑战,包括电源管理、不断加速的达成良率所需的时间以及从系统到芯片的验证。Synopsys 公司总部设在美国加利福尼亚州Mountain View,有超过60家办事处分布在北美、欧洲、日本与亚洲。如需更多信息,请访问
http://www.synopsys.com/

关键字:验证  控制  数字  测试

编辑: 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/newproducts/eda/200709/15948.html
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