高速同步MOSFET 驱动器

2008-03-20 15:03:36来源: 电子工程世界


    凌力尔特公司推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4443/-1,该器件用于驱动同步整流转换器拓扑中的高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。这个驱动器与功率 MOSFET 和凌力尔特公司众多 DC/DC 控制器之一相结合,可形成一个完整的高效率同步稳压器,以用作降压或升压型 DC/DC 转换器。


    这个强大的驱动器可以吸收高达 5A 的电流并提供高达 2.4A 的电流,从而非常适用于驱动大栅极电容、大电流 MOSFET。LTC4443/-1 还可以为较大电流应用驱动多个并联 MOSFET。当驱动 3000pF 负载时,快速 12ns 上升时间和 8ns 下降时间最大限度减小了开关损耗。该器件还集成了自适应贯通保护,以防止高端和低端 MOSFET 同时导通,并最大限度缩短死区时间。该器件含有集成的自举肖特基二极管,可简化电路。


    LTC4443/-1 包括一个三态 PWM 输入以用于电源级停机,该输入与所有具三态输出功能的多相控制器兼容。另外,该器件还有一个单独的电源,供输入逻辑与控制器集成电路的信号摆幅匹配,而且在驱动器和逻辑电源端都有欠压闭锁电路。此外,该器件在 6V 至 9.5V 范围驱动高端和低端 MOSFET 的极,并在电源电压高达 38V 时工作。“-1”版本具有较高的 6.2V VCC 欠压闭锁,而不是 3.2V,以用来驱动标准 5V 逻辑 N 沟道 MOSFET。


     LTC4443EDD 和 LTC4443EDD-1 都采用 3mm x 3mm DFN-12 封装,以 1,000 片为单位批量购买,每片价格为 1.35 美元。LTC4443IDD 和 LTC4443IDD-1 经过测试,保证在 -40oC 至 85oC 的工作温度范围内工作,千片批购价为 1.50 美元。


性能概要:LTC4443/-1
• 同步 N 沟道 MOSFET 驱动器
• 大驱动电流 ─ 提供 2.4A,吸收 5A
• 自适应贯通保护
• 驱动 3000pF 负载时高端栅极下降时间为 8ns
• 驱动 3000pF 负载时高端栅极上升时间为 12ns
• 三态 PWM 输入用于电源级停机
• 集成自举肖特基二极管
• 最高电源电压为 38V
• 栅极驱动电压为 6V 至 9.5V
• LTC4443 的 UVLO 为 3.2V
• LTC4443-1 的 UVLO 为 6.2V

关键字:高速同步  MOSFET  驱动器  稳压器  DC  转换器  大栅极电容

编辑:吕海英 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/newproducts/analog/200803/article_17672.html
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