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研发成功!武汉新芯三维堆叠技术取得重大突破

2018-12-04
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武汉新芯的晶圆级集成技术可将三片不同功能的晶圆(如逻辑、存储和传感器等)垂直键合,在不同晶圆金属层之间实现电性互连。

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2018年12月3日,武汉新芯集成电路制造有限公司,一家领先的半导体研发与制造企业,宣布基于其三维集成技术平台的三片晶圆堆叠技术研发成功。

武汉新芯的晶圆级集成技术可将三片不同功能的晶圆(如逻辑、存储和传感器等)垂直键合,在不同晶圆金属层之间实现电性互连。与传统的2.5D芯片堆叠相比,晶圆级的三维集成技术能同时增加带宽,降低延时,带来更高的性能与更低的功耗。

武汉新芯技术副总裁孙鹏表示:“三维集成技术是武汉新芯继NOR Flash、MCU之外的第三大技术平台。武汉新芯的三维集成技术居于国际先进、国内领先水平,已积累了6年的大规模量产经验,能为客户提供工艺先进、设计灵活的晶圆级集成代工方案。”

武汉新芯自2012年开始布局三维集成技术,并于2013年成功将三维集成技术应用于背照式影像传感器,良率高达99%,随后陆续推出硅通孔(TSV)堆叠技术、混合键合(Hybrid Bonding)技术和多片晶圆堆叠技术。

晶圆级的三维集成技术为后摩尔时代芯片的设计和制造提供了新的解决方案,在对带宽、性能、多功能集成等方面有重要需求的人工智能和物联网领域拥有颇为广泛的应用前景。

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